[发明专利]热保护电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种热保护电路。

背景技术

场效应管为发热元件，在使用过程中如果过热，场效应管源极与漏极可能被击穿，击穿后容易导致电路中的器件被烧毁。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种热保护电路，防止场效应管过热而烧毁。

一种热保护电路，用于保护一第一场效应管，所述热保护电路包括：

一控制电路，所述控制电路包括一电子开关、第一至第四电阻以及运算放大器，所述第一电阻的第一端连接一第一电压输入端，所述第一电阻的第二端通过第二电阻接地，所述第三电阻的第一端连接一第二电压输入端，所述第三电阻的第二端通过第四电阻接地，所述运算放大器的同相输入端连接所述第三电阻及第四电阻之间的节点，所述运算放大器的反相输入端连接所述第一电阻及第二电阻之间的节点，所述运算放大器的输出端连接所述电子开关的第一端，所述电子开关的第二端连接所述第一场效应管的栅极，所述电子开关的第三端接地，其中第三电阻为一热敏电阻，所述热敏电阻被设置于所述第一场效应管附近，当所述第一场效应管温度不超过一预设温度时，所述运算放大器输出低电平信号，所述电子开关第一端接收低电平信号时所述电子开关截止；当温度超过一预设温度时，所述运算放大器输出高电平信号，所述电子开关第一端接收高电平信号时所述电子开关导通。

所述控制电路在电路温度高于预设值时将第一N沟道场效应管的栅极接地，所述第一N沟道场效应管截止后停止发热，以防止场效应管在高温下被击穿而烧毁电路元件。

附图说明

图1为本发明热保护电路较佳实施方式的电路图。

主要元件符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参考图1，本发明热保护电路10较佳实施方式包括降压式变换电路20及控制电路30。

所述降压式变换电路20包括一驱动芯片U1、电感L、电容C1-C2、电阻R1-R2以及N沟道场效应管Q1-Q2。所述驱动芯片U1的电源引脚VCC连接一电压输入端V1，所述驱动芯片U1的第一驱动引脚Hgate连接于所述N沟道场效应管Q1的栅极，所述N沟道场效应管Q1的漏极连接一电压输入端V2及经所述电容C1接地，所述N沟道场效应管Q1的源极连接于所述驱动芯片U1的相位引脚Phase，所述驱动芯片U1的第二驱动引脚Lgate连接于所述N沟道场效应管Q2的栅极，所述N沟道场效应管Q2的漏极连接于所述相位引脚Phase，所述N沟道场效应管Q2的源极接地，所述相位引脚Phase还依次通过电感L、电阻R1及电阻R2接地，所述电感L与电阻R1之间的节点通过电容C2接地，所述电阻R1与电阻R2之间的节点连接所述驱动芯片U1的量测引脚FB。

所述控制电路30包括一电子开关，如一N沟道场效应管Q3、电阻R3-R6以及运算放大器U2。所述电阻R3的第一端连接一电压输入端V3，所述电阻R3的第二端通过电阻R4接地，所述电阻R5的第一端连接所述电压输入端V1，所述电阻R5的第二端通过电阻R6接地，所述运算放大器U2的同相输入端连接于所述电阻R5及电阻R6之间的节点，所述运算放大器U2的反相输入端连接于所述电阻R3及电阻R4之间的节点，所述运算放大器U2的输出端连接所述N沟道场效应管Q3的栅极，所述N沟道场效应管Q3的漏极连接所述N沟道场效应管Q1的栅极，所述N沟道场效应管Q3的源极接地，其中电阻R5为一负温度系数热敏电阻，被设置于N沟道场效应管Q1附近以通过阻值变化反应N沟道场效应管Q1的温度变化。当所述N沟道场效应管Q1的温度不超过一预设温度时，所述电阻R5阻值不小于一预设值，经所述电阻R5与电阻R6分压后得到的所述运算放大器U2的同相输入端的输入电压不高于经所述电阻R3与电阻R4分压后得到的所述运算放大器U2的反相输入端的输入电压，所述运算放大器U2输出低电平信号，当所述N沟道场效应管Q1的温度超过一预设温度时，所述电阻R5阻值将下降至小于所述预设值，所述运算放大器U2的同相输入端的输入电压将大于所述运算放大器U2的反相输入端的输入电压，所述运算放大器U2输出高电平信号。