[发明专利]一种抗穿刺五层共挤聚酯薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种抗穿刺五层共挤聚酯薄膜，其特征在于，包括第一表层、第二表层、第一连接层、第二连接层以及芯层，所述芯层位于中间位置，第一连接层位于芯层的上表面，第一表层位于第一连接层的上表面，第二连接层位于芯层的下表面，第二表层位于第二连接层的下表面。

2.根据权利要求1所述的抗穿刺五层共挤聚酯薄膜，其特征在于，所述第一表层和第二表层的材质均为聚己内酰胺切片；

所述第一连接层和第二连接层的材质均为聚酯/聚酰胺共混物；

所述芯层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯切片。

3.根据权利要求1或2所述的抗穿刺五层共挤聚酯薄膜，其特征在于，所述第一表层的厚度占抗穿刺五层共挤聚酯薄膜总厚度的5～15%，所述第二表层的厚度占抗穿刺五层共挤聚酯薄膜总厚度的5～15%，所述第一连接层的厚度占抗穿刺五层共挤聚酯薄膜总厚度的5～15%，第二连接层的厚度占抗穿刺五层共挤聚酯薄膜总厚度的5～15%，所述芯层的厚度占抗穿刺五层共挤聚酯薄膜总厚度的40～80%。

4.根据权利要求1至3任一所述的抗穿刺五层共挤聚酯薄膜，其特征在于，所述第一表层和所述第二表层均包括以下质量百分比的组分：60～80%的PA6切片和20～40%的PA6抗粘连剂母料切片。

5.根据权利要求4所述的抗穿刺五层共挤聚酯薄膜，其特征在于，所述第一表层和所述第二表层均含有至少一种抗粘连剂。

6.根据权利要求5所述的抗穿刺五层共挤聚酯薄膜，其特征在于，所述抗粘连剂为二氧化硅、硫酸钡、滑石粉或云母粉的一种或一种以上；

所述抗粘连剂的粒径为1～4μm，含量为3000ppm。

7.根据权利要求1至3任一所述的抗穿刺五层共挤聚酯薄膜，其特征在于，所述第一连接层和所述第二连接层均包括以下组分：PET切片、PA6切片以及聚烯烃接枝马来酸酐。

8.根据权利要求7所述的抗穿刺五层共挤聚酯薄膜，其特征在于，所述PET切片、所述PA6切片以及所述聚烯烃接枝马来酸酐的摩尔含量比为50:50:5～20；

所述聚烯烃接枝马来酸酐的接枝率为1～3%；

所述聚烯烃接枝马来酸酐为聚乙烯接枝马来酸酐或聚丙烯接枝马来酸酐。

9.权利要求1至8任一所述的抗穿刺五层共挤聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将第一表层的原料、第二表层的原料、第一连接层的原料、第二连接层的原料分别送入两台辅挤出机，芯层的原料送入主挤出机，挤出；各挤出机熔体分别进入五层共挤模头，经铸片辊形成片材；经过第一次预热和纵向拉伸，冷却定型；再经过第二次预热和横向拉伸，热定型处理后冷却定型，然后经牵引、去废边、电晕处理、厚度检测、收卷，得到抗穿刺五层共挤聚酯薄膜。

10.根据权利要求9所述的抗穿刺五层共挤聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，所述辅挤出机和所述主挤出机均为高真空排气式双螺杆挤出机，螺杆转速为20～60转/min；

所述第一表层和所述第二表层的挤出温度均为220～250℃；

所述第一连接层和所述第二连接层的挤出温度均为250～280℃；

所述芯层的挤出温度为250～280℃；

所述第一次预热的温度为80～100℃；

所述纵向拉伸的拉伸倍率为1～4倍；

所述第二次预热的温度为100～120℃；

所述横向拉伸的拉伸倍率为1～4倍；

所述热定型处理的温度为200～250℃。