[发明专利]具有整合的均流器并具有改善的传导性的下部内衬件

权利要求书

1.一种蚀刻设备，所述蚀刻设备包含：

具有底部壁的室主体；

衬底支撑基座，所述衬底支撑基座被布置在所述室主体中；

气体引入喷气头，所述气体引入喷气头被布置在所述蚀刻设备中并与所述衬底支撑基座相对；

上部室内衬件，所述上部室内衬件被布置在所述室主体中，使得所述衬底支撑基座、所述气体引入喷气头、以及所述上部室内衬件至少部分地围绕处理区域；

环形挡板，所述环形挡板耦合至所述衬底支撑基座并围绕所述衬底支撑基座；以及

下部室内衬件，所述下部室内衬件包含：

环形底部壁；

内侧壁，所述内侧壁被配置在所述环形挡板下方并围绕所述衬底支撑基座；以及

外侧壁，所述外侧壁从所述环形底部壁向上且向外倾斜延伸，其中所述环形底部壁与所述外侧壁整合在一起，其中所述下部室内衬件具有多个缝隙，所述多个缝隙连续地延伸通过所述环形底部壁和所述外侧壁并被布置在所述室主体内，使得在所述下部室内衬件的所述环形底部壁和所述外侧壁与所述室主体的所述底部壁和外侧壁之间界定环形气室，其中所述多个缝隙被配置为使得处理气体通过所述下部室内衬件的流动均匀；以及

排气端口，所述排气端口被布置在所述室主体的所述外侧壁中，其中所述排气端口在所述下部室内衬件的所述外侧壁上方，且其中所述环形气室与所述排气端口流体连通。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述下部室内衬件的一个四分之一圆比其他的四分之一圆具有更少的缝隙。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述下部室内衬件的一个四分之一圆比其他的四分之一圆具有更大的缝隙。

4.一种用于等离子体处理的设备，所述设备包含：

具有底部壁的室主体；

第一室内衬件，所述第一室内衬件布置在所述室主体内；

第二室内衬件，所述第二室内衬件布置在所述室主体内，位于所述第一室内衬件下方，并电耦合至所述第一室内衬件，其中所述第二室内衬件包含：

环形底部壁；

外侧壁，所述外侧壁从所述环形底部壁向上且向外倾斜延伸，其中所述环形底部壁与所述外侧壁整合在一起，其中所述第二室内衬件具有连续地延伸通过所述环形底部壁和所述外侧壁两者的多个缝隙，其中所述多个缝隙被配置为使得处理气体通过所述第二室内衬件的流动均匀，并且其中所述多个缝隙被配置成使得在所述第二室内衬件的各四分之一圆内均存在至少一个缝隙；以及

环形气室，所述环形气室布置在所述室主体的所述底部壁与所述第二室内衬件的所述外侧壁之间；以及

排气端口，所述排气端口被布置在所述室主体中，其中所述排气端口在所述第二室内衬件的所述外侧壁上方，且其中所述环形气室与所述排气端口和所述多个缝隙流体连通。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第二室内衬件的所述环形底部壁耦合至所述室主体的所述底部壁。