[发明专利]一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法

权利要求书

1.一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，应用于确认晶圆上的集成电路图形的光刻工艺窗口中，其特征在于，包括如下步骤：

提供一用于确认光刻工艺窗口的晶圆；

设定所述晶圆中的基准芯片；

将所述晶圆中的非基准芯片按照光刻能量与焦距的矩阵分布排列；

先后对所述基准芯片、所述非基准芯片进行曝光；

先后对所述曝光后的基准芯片、所述曝光后的非基准芯片进行缺陷检测，以得到所述曝光后的基准芯片、所述曝光后的非基准芯片的缺陷检测结果；

将所述曝光后的基准芯片的缺陷检测结果与所述曝光后的非基准芯片的缺陷检测结果进行比对，以得到确认的光刻工艺窗口；

其中，所述基准芯片为确定基准光刻工艺条件的芯片。

2.根据权利要求1所述的准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，其特征在于，先后对所述基准芯片、所述非基准芯片进行曝光，具体为：

首先，根据所述基准芯片确定的基准光刻工艺条件对所述基准芯片进行曝光，之后，根据光刻能量和焦距的矩阵分布对所述非基准芯片进行曝光。

3.根据权利要求1所述的准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，其特征在于，先后对所述曝光后的基准芯片、所述曝光后的非基准芯片进行缺陷检测，具体为：

首先，采用缺陷检测设备对所述曝光后的基准芯片进行缺陷检测扫描，并将检测到的所述曝光后的基准芯片的缺陷检测结果存储在所述缺陷检测设备的存储器中，之后，采用缺陷检测设备对所述曝光后的非基准芯片进行缺陷检测扫描。

4.根据权利要求3所述的准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，其特征在于，对所述曝光后的非基准芯片采用逐行或逐列的缺陷检测扫描方式。

5.根据权利要求1所述的准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述曝光后的基准芯片的缺陷检测结果为零缺陷图形数据信号，所述曝光后的非基准芯片的缺陷检测结果为待确定缺陷图形数据信号。

6.根据权利要求5所述的准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，其特征在于，将所述曝光后的基准芯片的缺陷检测结果与所述曝光后的非基准芯片的缺陷检测结果进行比对，具体为：

将所述曝光后的基准芯片的零缺陷图形数据信号与所述曝光后的非基准芯片的待确定缺陷图形数据信号进行比对，确定按照光刻能量与焦距的矩阵分布排列的所述非基准芯片的缺陷位置。

7.根据权利要求1-6任一项所述的准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述基准芯片位于所述晶圆的中间位置，所述非基准芯片位于所述基准芯片的周围。

8.根据权利要求7所述的准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述基准芯片为2～10个。

9.根据权利要求7所述的准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述基准芯片的上面和下面的非基准芯片之和不少于3个，且所述基准芯片的左面和右面的非基准芯片之和不少于3个。