[发明专利]发光二极管制造方法在审

专利信息
申请号: 201310264930.3 申请日: 2013-06-28
公开(公告)号: CN104253191A 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 林厚德;陈滨全;陈隆欣 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 徐丽昕
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:

提供一个基板,所述基板包括基板本体,设置在基板本体之中的金属支架以及设置在金属支架之上的多个反射杯,所述金属支架包括多个第一电极及多个第二电极,所述多个第一电极及多个第二电极相邻设置且分别沿基板的延伸方向间隔排列,每个反射杯内部形成有固晶凹槽以暴露出金属支架;

在固晶凹槽内部设置发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒设置在金属支架之上且分别与第一电极及第二电极电连接;

提供一个压合件,将压合件抵靠在基板的边缘以使基板平整化;

在固晶凹槽内填充封装材料以覆盖发光二极管晶粒;

移除压合件并使封装材料固化;以及

沿多个反射杯之间的间隙切割基板以形成多个发光二极管。

2.参照发明内容部分调整

如权利要求1所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述压合件包括本体以及从本体两端垂直延伸的突出部,所述本体压合在基板的与延伸方向平行的边缘,所述突出部压合在基板的两端。

3.如权利要求1所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述封装材料中含有荧光粉颗粒。

4.如权利要求1所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述基板按以下方法制成:

提供一个基板本体,所述基板本体上设置有贯穿基板本体的多个第一凹槽和多个第二凹槽,所述多个第一凹槽和多个第二凹槽沿基板本体的延伸方向间隔排列,所述多个第二凹槽亦沿基板本体的延伸方向间隔排列且与第一凹槽并排设置;

提供一个金属支架,所述金属支架上具有多个第一电极及多个第二电极,所述第一电极的位置与第一凹槽相对应,所述第二电极的位置与第二凹槽相对应;

将第一电极设置在第一凹槽之中,将第二电极设置在第二凹槽之中;

在金属支架上形成多个反射杯,每个反射杯内部形成有固晶凹槽以暴露出金属支架的第一电极及相对应的第二电极。

5.如权利要求4所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述第一凹槽包括第一腔体和第二腔体,所述第二腔体设置在第一腔体的底部且第二腔体的横截面的宽度从上到下逐渐减小。

6.如权利要求5所述的发光二极管制造方法,其特征在于,每个第一电极包括第一本体以及从第一本体向下延伸的第一贯穿部,所述第一贯穿部的横截面的宽度从上到下逐渐减小,所述第一本体设置在第一腔体之中,第一贯穿部设置在第二腔体之中。

7.如权利要求4-6任意一项所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述第二凹槽包括第三腔体和第四腔体,所述第四腔体设置在第三腔体的底部且第四腔体的横截面的宽度从上到下逐渐减小。

8.如权利要求7所述的发光二极管制造方法,其特征在于,每个第二电极包括第二本体以及从第二本体向下延伸的第二贯穿部,所述第二贯穿部的横截面的宽度从上到下逐渐减小,所述第二本体设置在第三腔体之中,第二贯穿部设置在第四腔体之中。

9.如权利要求4所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述金属框架包括金属外框,所述多个第一电极和多个第二电极设置在金属外框之中,所述多个第一电极通过第一连接杆相互连接且连接至金属外框上,所述多个第二电极通过第二连接杆相互连接且连接至金属外框上。

10.如权利要求9所述的发光二极管制造方法,其特征在于,在切割基板时,第一电极与金属外框之间的第一连接杆相应被切断以使第一电极与金属外框电学分离,第二电极与金属外框之间的第二连接杆亦相应被切断以使第二电极与金属外框电学分离。

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