[发明专利]改善电容器件击穿电压的方法有效
| 申请号： | 201310265059.9 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103337456A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 昂开渠;曾林华;任昱;吕煜坤;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/02;H01L27/10;H01L27/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 电容 器件 击穿 电压 方法 | ||
1.一种改善电容器件击穿电压的方法，应用于电容器件的制备工艺中，其特征在于，包括以下步骤：
提供一从下至上顺寻依次具有第一金属层、介质层和第二金属层的半导体结构，且该半导体结构的表面覆盖有硬质薄膜；
部分刻蚀所述硬质薄膜至所述第一金属层的表面，且于暴露的所述第一金属层的表面上残留有反应金属聚合物；
去除所述反应金属聚合物后，继续以剩余的硬质薄膜为掩膜，刻蚀所述第一金属层至所述介质层中；
清洗工艺后，形成电容结构。
2.根据权利要求1所述的改善电容器件击穿电压的方法，其特征在于，采用具有强侧向刻蚀特性的气体去除所述反应金属聚合物。
3.根据权利要求2所述的改善电容器件击穿电压的方法，其特征在于，采用N2作为主要刻蚀气体去除所述反应金属聚合物。
4.根据权利要求3所述的改善电容器件击穿电压的方法，其特征在于，在反应压力为160mT-220mT的条件下，采用300sccm-400sccm的N2进行所述去除反应金属聚合物工艺步骤。
5.根据权利要求1所述的改善电容器件击穿电压的方法，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层的材质均为TiN。
6.根据权利要求1所述的改善电容器件击穿电压的方法，其特征在于，所述硬质薄膜的材质SiN。
7.根据权利要求6所述的改善电容器件击穿电压的方法，其特征在于，采用光刻、刻蚀工艺以部分刻蚀所述硬质薄膜
8.根据权利要求7所述的改善电容器件击穿电压的方法，其特征在于，采用CF4刻蚀部分刻蚀所述硬质薄膜至所述第一金属层的表面。
9.根据权利要求1所述的改善电容器件击穿电压的方法，其特征在于，所述介质层为ONO结构。
10.根据权利要求1所述的改善电容器件击穿电压的方法，其特征在于，所述清洗工艺为湿法清洗工艺，以去除所述刻蚀第一金属层至所述介质层中的工艺步骤中残留的反应非金属聚合生成物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
