[发明专利]一种陶瓷材料制品表面化学蚀刻方法无效
| 申请号： | 201310265201.X | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103274768A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 陆镇洲;陈海阳;林培广 | 申请（专利权）人： | 潮州三环（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/91 | 分类号： | C04B41/91 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 515646 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷材料 制品 表面 化学 蚀刻 方法 | ||
1.一种陶瓷材料制品表面化学蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）前处理：将陶瓷材料制品置于蚀刻溶液进行腐蚀，以使陶瓷材料制品表面的色度、光泽度和粗糙度符合设计要求；
（2）覆盖保护膜：将设计好形状的保护膜覆盖在陶瓷材料制品表面，所述保护膜采用耐磨损、耐腐蚀材料制备而成；
（3）化学蚀刻：将覆盖有保护膜的陶瓷材料制品放于酸性溶液中进行浸泡蚀刻，蚀刻温度为室温至300℃，蚀刻时间为5分钟至10小时；
（4）清洗：对蚀刻后的陶瓷材料制品进行超声清洗，然后去除保护膜，烘干即可。
2.如权利要求1所述的陶瓷材料制品表面化学蚀刻方法，其特征在于，所述步骤（1）中的蚀刻溶液为HF酸溶液。
3.如权利要求1所述的陶瓷材料制品表面化学蚀刻方法，其特征在于，所述步骤（2）中的保护膜采用PTFE膜或虫胶膜制备而成。
4.如权利要求1或2或3所述的陶瓷材料制品表面化学蚀刻方法，其特征在于，所述步骤（3）中的酸性溶液为HF酸、硫酸、硝酸中至少一种。
5.如权利要求1或2或3所述的陶瓷材料制品表面化学蚀刻方法，其特征在于，所述步骤（3）中的蚀刻温度为50～200℃，蚀刻时间为10分钟至8小时。
6.如权利要求5所述的陶瓷材料制品表面化学蚀刻方法，其特征在于，所述步骤（3）中的蚀刻温度为80～100℃，蚀刻时间为10分钟至5小时。
7.如权利要求1所述的陶瓷材料制品表面化学蚀刻方法，其特征在于，所述陶瓷材料制品为氧化锆陶瓷材料制品。
8.一种采用如权利要求1至7任一所述化学蚀刻方法进行表面处理后的陶瓷材料制品。
9.如权利要求8所述的陶瓷材料制品，其特征在于，所述陶瓷材料制品的表面光泽度为160-180流明，表面粗糙度Ra为0.05-3μm。
10.如权利要求8或9所述的陶瓷材料制品，其特征在于，所述陶瓷材料制品为手机底板。
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