[发明专利]双栅介电层及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种形成双栅介电层的方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上通过氧化该半导体衬底的方式生长形成第一栅介电层的第一薄部；

在所述第一薄部上采用淀积的方式形成第一栅介电层的第二厚部，其中所述第一栅介电层具有第一厚度；

去除所述第一栅介电层的特定部分，以露出所述半导体衬底的特定表面区域；以及

在半导体衬底的露出的所述特定表面区域上形成第二栅介电层，其中该第二栅介电层具有第二厚度，该第二厚度比所述第一厚度薄。

2.如权利要求1所述的方法，其中生长形成第一栅介电层的第一薄部包括采用热氧化生长的工艺步骤形成所述第一薄部。

3.如权利要求1所述的方法，其中采用淀积的方式形成第一栅介电层的第二厚部包括采用高温氧化物淀积的工艺步骤形成所述第二厚部。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一栅介电层的第一薄部和第二厚部包括二氧化硅层。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一薄部具有第三厚度，所述第二厚部具有第四厚度，所述第三厚度比所述第四厚度薄。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底包括具有第一电压范围的第一有效区和具有第二电压范围的第二有效区，所述第一有效区用于承载工作在第一电压范围下的半导体器件，所述第二有效区用于承载工作在第二电压范围下的半导体器件。

7.如权利要求6所述的方法，其中第一栅介电层的被去除的所述特定部分包括位于所述第二有效区上方的第一部分。

8.如权利要求6所述的方法，其中第一栅介电层的被去除的所述特定部分位于所述第二有效区上方的第一部分和位于所述第一有效区特定区域上方的第二部分。

9.如权利要求6所述的方法，进一步包括：

在形成所述第一栅介电层的第一薄部之前，在衬底中形成第一隔离层和第二隔离层，其中所述第一隔离层用于界定所述第一有效区和所述第二有效区，所述第二隔离层用于将形成于第一有效区和第二有效区中的各个半导体器件相互隔离。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一隔离层和所述第二隔离层分别为第一浅沟槽隔离层和第二浅沟槽隔离层。

11.如权利要求9所述的方法，其中，在衬底中形成第一隔离层和第二隔离层包括：

先后在衬底上形成基础氧化层和第一掩膜层；

对第一掩膜层和基础氧化层进行构图以在衬底中形成第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽用于界定所述第一有效区和所述第二有效区，所述第二沟槽用于将形成于第一有效区和第二有效区中的各个半导体器件相互隔离；

在所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁和底部形成垫层；

采用隔离层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及

去除所述第一掩膜层和基础氧化层。

12.一种形成具有双栅介电层的半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底，该半导体衬底包括第一有效区和第二有效区，其中所述第一有效区为第一电压范围区域，所述第二有效区为第二电压范围区域；

在所述半导体衬底上通过氧化该半导体衬底的方式生长形成第一栅介电层的第一薄部；

在所述第一薄部上采用淀积的方式形成第一栅介电层的第二厚部，其中所述第一栅介电层具有第一厚度；

去除所述第一栅介电层的特定部分后剩下该第一栅介电层的保留部分，以露出所述半导体衬底的特定表面区域；

在半导体衬底的露出的所述特定表面区域上形成第二栅介电层，其中该第二栅介电层具有第二厚度，该第二厚度比所述第一厚度薄；

在所述第一有效区上方形成第一栅区，并在所述第二有效区上方形成第二栅区，其中所述第一栅区至少部分地延伸至第一栅介电层的所述保留部分上并覆盖该保留部分的至少一部分，所述第二栅区覆盖所述第二栅介电层的至少一部分；并且所述第一栅区用作工作于所述第一电压范围下的第一半导体器件的栅区，所述第二栅区用作工作于所述第二电压范围下的第二半导体器件的栅区；以及

在第一有效区中形成所述第一半导体器件的源区及漏区，并在第二有效区中形成所述第二半导体器件的源区及漏区。