[发明专利]一种低阴离子残留碱式碳酸钴的制取方法无效
| 申请号： | 201310267016.4 | 申请日： | 2013-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103351030A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 吉鸿安;朱来东;高维荣;赵忠孝;许颖生;潘杰 | 申请（专利权）人： | 西北矿冶研究院 |
| 主分类号： | C01G51/06 | 分类号： | C01G51/06 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 赵立权 |
| 地址： | 730900 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阴离子 残留 碳酸 制取 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种低阴离子残留碱式碳酸钴的制取方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：
（1）分别配制浓度为2.0-3.5 mol/L的碳酸氢铵溶液和浓度为1.0-2.0mol/L的钴盐溶液；
（2）以碳酸氢铵溶液为反应底液，在搅拌条件下，将钴盐溶液与碳酸氢铵溶液按1：0-1.5的体积比匀速喷淋至碳酸氢铵底液中，控制使反应温度保持在55-65℃，溶液反应终点pH值为7.0-7.5；
（3）将反应后溶液过滤，并将过滤所得固体物料用去离子水洗涤3-5次，即得目标产品。
2.根据权利要求1所述的一种低阴离子残留碱式碳酸钴的制取方法，其特征在于，步骤（1）中，所述钴盐为氯化钴、硝酸钴、硫酸钴中的一种或多种的组合。
3. 根据权利要求1所述的一种低阴离子残留碱式碳酸钴的制取方法，其特征在于，步骤（1）中，采用去离子水配制碳酸氢铵溶液和钴盐溶液。
4. 根据权利要求1所述的一种低阴离子残留碱式碳酸钴的制取方法，其特征在于，步骤（2）中，所述碳酸氢铵底液的体积为钴盐溶液加入体积的0.5-1.6倍。
5. 根据权利要求1所述的一种低阴离子残留碱式碳酸钴的制取方法，其特征在于，步骤（2）中，将钴盐溶液与碳酸氢铵溶液以300-1000L/h的流速匀速喷淋至碳酸氢铵底液中。
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