[发明专利]线性传感器、图像传感器及电子装置

说明书

相关申请的交叉参考

本申请包含与2012年7月5日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2012-151115的公开内容相关的主题，将该在先申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及线性传感器、图像传感器及电子装置，具体地涉及能够更令人满意地转移电荷的线性传感器、图像传感器以及电子装置。

背景技术

在相关领域中，线性传感器（其中直线布置有具有大面积感光部（light sensing part）的传感器元件）已使用于具有自动聚焦功能以控制聚焦的单透镜反光照相机中。

例如，尚未经审查的日本专利申请出版物No.H05-63176披露了一种CCD（电荷耦合器件）线性传感器，该CCD线性传感器中的包括光感应单元的电荷存储单元形成为长矩形，其中通过在向着电荷转移的方向上改变具有不同杂质浓度的区域的宽度来设定电势差。

发明内容

并且，近年来已经研发出使用具有CMOS（互补金属氧化物半导体）结构的传感器元件的CMOS线性传感器，并且这种CMOS线性传感器是以比CCD线性传感器低的电压（例如，约3～5V）进行驱动。由于这种原因，当使用具有大面积感光部的传感器元件时，CMOS线性传感器中的电荷转移要比CCD线性传感器中的更为困难。

特别的，当CMOS线性传感器的传感器元件采用将传输门和复位门连接于感光部的配置时，难以令人满意地将电荷转移至传输门和复位门。

期望能够更令人满意地使电荷进行转移。

根据本发明的第一实施例，提供一种包括直线布置的多个传感器元件的线性传感器。多个线性传感器中的每一个可包括感光部、读出门和复位门，感光部感应光，产生基于感应到的光的量的电荷并积累电荷；读出门用于读出积累在感光部中的电荷；而复位门用于释放积累在感光部中的电荷以进行复位，并且包含在感光部中具有最高杂质浓度的区域形成在感光部中与读出门和复位门距离相近的位置。

根据本发明的第二实施方案，提供一种图像传感器，其包括布置为阵列形状的多个像素。每个像素可包括感光部、读出门和复位门，感光部感应光，产生基于感应到的光的量的电荷并积累电荷；读出门用于读出积累在感光部中的电荷；而复位门用于释放积累在感光部中的电荷以进行复位，并且包含在感光部中具有最高杂质浓度的区域形成在感光部中与读出门和复位门距离相近的位置。

根据本发明的第三实施方案，提供一种电子装置，其包括具有布置为阵列形状的多个像素的图像传感器。每个像素可包括感光部、读出门和复位门，感光部感应光，其产生基于感应到的光的量的电荷并积累电荷，读出门用于读出积累在感光部中的电荷，而复位门用于释放积累在感光部中的电荷以进行复位，并且包含在感光部中具有最高杂质浓度的区域形成在感光部中与读出门和复位门距离相近的位置。

根据本发明的上述第一至第三实施方案，感光部中包含最高杂质浓度的区域形成在感光部中与读出门和复位门相距大致相同距离的位置。

根据本发明的各实施方案，能够将电荷更令人满意地进行转移。

附图说明

图1为示出应用本发明技术的成像装置的实施例的配置示例的示意图；

图2A和2B为示出线性传感器的配置示例的示意图；

图3为示出传感器元件的第一配置示例的示意图；

图4为示出相关技术的传感器元件的配置示例的示意图；

图5为示出传感器元件的第二配置示例的示意图；

图6为示出传感器元件的第三配置示例的示意图；

图7为示出传感器元件的第四配置示例的示意图；

图8为示出传感器元件的第五配置示例的示意图；

图9为示出传感器元件的第六配置示例的示意图；以及

图10为示出图像传感器配置示例的示意图。

具体实施方式

下面，将参考附图对本发明的优选实施方案进行详细描述。应当说明，在本说明书及其附图中，具有大致相同功能及结构的结构性元件将由同一附图标记标示，并且省略有关这些结构性元件的重复性说明。

下面，将参考附图对应用本发明技术的具体实施方案进行详细描述。

图1为示出应用本发明技术的成像装置的实施例的配置示例的示意图。

图1中，成像装置11配置为包括透镜单元12、主镜13、辅镜14、线性传感器15、图像传感器16、信号处理电路17、监控器18和存储器19。