[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

本申请是申请日为2012年9月27日、申请号为201210374585.4、发明名称为透明导电性薄膜的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及使用铟锡氧化物（ITO:Indium Tin Oxide）膜的透明导电性薄膜。

背景技术

已知具有薄膜基材、透明导体图案和填充材料的透明导电性薄膜（专利文献1：日本特表2007-508639）。薄膜基材具有由二氧化硅等形成的涂层。透明导体图案形成在涂层上。填充材料以埋设透明导体图案的方式形成在薄膜基材上。透明导体图案代表性的是由铟锡氧化物（ITO:Indium Tin Oxide）膜形成。这种透明导电性薄膜例如应用在电容型触摸面板上，具有透明导体图案难以被辨识到的特征。但是，以往的透明导电性薄膜仍然存在被辨识到透明导体图案的情况（理想的是透明导体图案完全不被辨识到）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2007-508639号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供一种与以往相比更加难以辨识到透明导体图案的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

（1）本发明的透明导电性薄膜具备薄膜基材、和形成在薄膜基材上的透明导体图案、和形成在薄膜基材上的、埋设透明导体图案的粘合剂层。透明导体图案具有在薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构。第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量比第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层的厚度薄。第二铟锡氧化物的晶体层的厚度与第一铟锡氧化物的晶体层的厚度之差为2nm～10nm。“铟锡氧化物”为所谓的ITO(Indium Tin Oxide)。

（2）在本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层与第二铟锡氧化物的晶体层为通过加热处理而使铟锡氧化物的非晶体层结晶化而成的晶体层。

（3）在本发明的透明导电性薄膜中，薄膜基材的原材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。

（4）在本发明的透明导电性薄膜中，透明导体图案的厚度（第一铟锡氧化物的晶体层的厚度+第二铟锡氧化物的晶体层的厚度）为10nm～45nm。

（5）在本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为6重量%～15重量%，第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为1重量%～5重量%。

（6）在本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量与第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量之差为3重量%～10重量%。

（7）在本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的厚度为3nm～15nm，第二铟锡氧化物的晶体层的厚度为7nm～25nm。

（8）在本发明的透明导电性薄膜中，粘合剂层的折射率为1.45～1.50。

（9）在本发明的透明导电性薄膜中，设存在透明导体图案的部分的波长450nm～650nm的光的平均反射率为R₁（%）、设不存在透明导体图案的部分的波长450nm～650nm的光的平均反射率为R₂（%）、设ΔR（%）为平均反射率R₁与平均反射率R₂之差的绝对值时（ΔR=|R₁-R₂|），ΔR为0.7%以下。

（10）在本发明的透明导电性薄膜中，透明导体图案的表面电阻值为不足150Ω/□（ohms per square）。

发明的效果

根据本发明，可比以往进一步缩小存在透明导体图案的部分的反射率R₁与不存在透明导体图案的部分的反射率R₂之差ΔR。其结果，可得到比以往产品更难以辨识到透明导体图案的透明导电性薄膜。

附图说明

图1为本发明的透明导电性薄膜的俯视图和剖视示意图

具体实施方式