[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖所述TFT，第一透明电极位于所述第一钝化层的表面，所述第一透明电极通过过孔与所述TFT的漏极相连接，其特征在于，所述过孔处具有用于防止光线透射的光阻结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括连续的多个斜面或者曲面的微结构。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于所述过孔处的所述第一钝化层具有所述微结构，所述第一钝化层的表面形成具有所述微结构的所述第一透明电极。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于所述过孔处的所述TFT的漏极具有所述微结构，所述TFT的漏极的表面形成具有所述微结构的所述第一透明电极。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于所述过孔处的所述第一钝化层与所述透明基板之间的栅极绝缘层具有所述微结构，所述栅极绝缘层的表面形成具有所述微结构的第一透明电极。

6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括遮光层：

所述遮光层位于所述第一透明电极与所述第二钝化层之间。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案；

在形成有上述图案的基板表面通过构图工艺形成过孔的图案，第一透明电极通过所述过孔与所述TFT的漏极相连接；

在所述过孔位置处形成用于防止光线透射的光阻结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光阻结构的制造方法包括：

在形成有所述过孔的基板上依次形成所述第一钝化层和所述第一透明电极；

其中，所述过孔处通过构图工艺形成表面具有连续的多个斜面或者曲面的微结构的光阻结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，位于所述过孔处的所述第一钝化层具有所述微结构，所述第一钝化层的表面形成具有所述微结构的所述第一透明电极。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，位于所述过孔处的所述TFT的漏极具有所述微结构，所述TFT的漏极的表面形成具有所述微结构的所述第一透明电极。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，位于所述过孔处的所述第一钝化层与所述透明基板之间的栅极绝缘层具有所述微结构，所述栅极绝缘层的表面形成具有所述微结构的第一透明电极。

13.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述光阻结构包括：

在形成有所述第一透明电极的基板上形成所述遮光层。