[发明专利]晶片与晶片之间的对准方法

权利要求书

1.晶片与晶片之间的对准方法，其特征在于，步骤包括：

1）在第一层晶片上形成一层薄的氧化层；

2）在第一层晶片边缘形成对准标记；

3）在第一层晶片上进行正常的工艺步骤，形成所需的集成电路图形；

4）在第一层晶片上形成蚀刻中止层；

5）在第一层晶片上键合第二层晶片，并使第一层晶片上的对准标记有效露出；

6）涂布正光刻胶，去除超出第二层晶片范围的光刻胶，然后将第二层晶片对准第一层晶片上露出的对准标记。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1），用物理气相沉积方法形成氧化层。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤1），所述氧化层的厚度为10～1000埃米。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），所述蚀刻中止层包括二氧化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，步骤4），所述蚀刻中止层的厚度为100～50000埃米。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5），采用硅硅键合方法。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤5），将两晶片置于氧气或氮气环境中，用800摄氏度的高温处理7～8小时，实现硅硅键合。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5），键合后，对第二层晶片进行减薄、减小处理，使第二层晶片的厚度和直径小于第一层晶片，第一层晶片和第二层晶片没有交叠的圆环。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤5），减薄后的第二层晶片的厚度为1～300微米。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤5），减薄后的第二层晶片的厚度为30微米。