[发明专利]一种增加钨薄膜和硅基片间附着力的方法

权利要求书

1.一种增加钨薄膜和硅基片间附着力的方法，其特征步骤在于：在硅片上用热氧化法氧化一层SiO₂或者用等离子体化学气相沉积法沉积一层SiO₂，或者直接选用石英玻璃作为衬底，用普通的化学气相沉积法沉积一层小晶粒的多晶硅，用硅烷或者DCS在晶核层上进行气相外延生长，或者直接在绝缘衬底上进行气相外延生长，然后通过磁控溅射的方法在该基片上镀钨膜。

2.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的制备方法，方法不限于一种，物理方法、化学方法中的任意一种均可。

3.根据权利要求1和2所述的磁控溅射的方法，直流磁控溅射一般用来制备各种薄膜，主要是导电材料，但镀金属膜也不限于这种方法。

4.根据权利要求1、2和3所述的制备薄膜的方法，金属靶材可以是W、Au、Ag、Ti、Cr等导电的金属材料。

5.根据权利要求1、2、3和4所述的钨薄膜的制备方法，制备方法可以有蒸发的方法、溅射的方法、sol-gel的方法等薄膜制备方法中的任意一种。

6.根据权利要求1、2、3、4和5所述的钨薄膜的方法，薄膜的厚度可以达到几微米甚至十几微米。

7.根据权利要求1、2、3、4、5和6所述的钨薄膜的方法，薄膜与硅基片间的附着力良好，薄膜不易脱落。

本发明说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。