[发明专利]GaN基LED及其生产方法

权利要求书

1.一种GaN基LED，包括基底，在所述基底上顺次生长的GaN层、n型GaN层、n型电子阻挡层、n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层、InGaN/GaN发光量子阱层、p型GaN层、p型AlGaN层、接触层，

其中，在所述p型AlGaN层和所述接触层之间还生长有特征p型GaN层。

2.根据权利要求1所述的GaN基LED，其特征在于，所述特征p型GaN层包括间隔分布的高掺杂浓度的第一亚层和低掺杂浓度的第二亚层。

3.根据权利要求2所述的GaN基LED，其特征在于，所述特征p型GaN层的掺杂元素为Mg。

4.根据权利要求3所述的GaN基LED，其特征在于，所述特征p型GaN层的掺杂元素为Mg。

5.根据权利要求4所述的GaN基LED，其特征在于，所述第一亚层中Mg的掺杂浓度在5×10¹⁹-1.8×10²⁰个/cm³之间，优选为6×10¹⁹-9×10¹⁹个/cm³之间。

6.根据权利要求4或5所述的GaN基LED，其特征在于，所述第二亚层中Mg的掺杂浓度在1.2×10¹⁹-4.8×10¹⁹个/cm³之间，优选为2×10¹⁹-4.5×10¹⁹个/cm³之间。

7.根据权利要求2到6中任一项所述的GaN基LED，其特征在于，当将相邻的第一亚层和第二亚层作为一个整体时，所生长的整体的数量为1到20。

8.根据权利要求7所述的GaN基LED，其特征在于，在所述特征p型GaN层中，最底层的为第一亚层，最顶层也为第一亚层。

9.一种生产根据权利要求1到8中任一项所述的GaN基LED的方法，其特征在于，在生长所述特征p型GaN层时，所使用的原料包括三甲基镓、氨、二茂镁。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在生长所述特征p型GaN层时，所述二茂镁的体积流量为周期性变化，一个变化周期的时间为50-900s。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述三甲基镓的体积流量∶氨的体积流量∶二茂镁的体积流量低值∶二茂镁的体积流量高值在1:2200:10:30到3:6600:75:160之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在生长所述特征p型GaN层开始时，二茂镁的体积流量处于高值；在结束生长所述特征p型GaN层时，二茂镁的体积流量也处于高值。

13.根据权利要求9到12中任一项所述的方法，其特征在于，在生长所述特征p型GaN层时，温度在910-950℃之间，压力在150-900mbar之间。