[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中具有源极有源区，所述源极有源区具有第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分、第二部分以及第三部分在第一方向上依次排列；

制备隔离结构，所述隔离结构用于隔离有源区；

分别在所述衬底中形成第一阱、第二阱以及第三阱，所述源极有源区的第一部分和第二部分位于所述第一阱内，所述源极有源区的第三部分位于所述第二阱内，所述第三阱至少位于所述源极有源区的第二部分在第二方向上的边缘位置；

在所述第二阱中形成漏区，在所述源极有源区的第一部分内形成源区，在所述第一阱中形成接触区；

在部分所述第一阱和部分所述第二阱上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述源极有源区的第二部分和第三部分，并且，所述栅极结构暴露出所述第三阱以及部分所述第一部分；

其中，所述衬底、第一阱、第三阱和接触区均为第一导电类型掺杂，所述第二阱、漏区和源区均为第二导电类型掺杂。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底中形成第一阱、第二阱以及第三阱的步骤中，先形成所述第三阱，再形成所述第一阱。

3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三阱的掺杂浓度为10¹⁵cm^-3-10¹⁷cm^-3。

4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三阱的深度大于所述第一阱的深度。

5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三阱的边缘离所述源极有源区的第二部分的边缘在第二方向上的距离为50nm～1μm。

6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三阱的边缘离所述第二阱的边缘在第一方向上的距离为50nm～1μm。

7.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征 在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

8.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述隔离结构为浅槽隔离结构。