[发明专利]抑制谐波效应半导体结构及形成抑制谐波效应结构的方法

权利要求书

1.一种可抑制谐波效应的半导体结构，包括：

半导体基板，其包括：

半导体基板基底，

埋入式介电层，其位于该半导体基板基底上，

表面半导体层，其位于该埋入式介电层上，及

浅沟隔离层，其位于该表面半导体层内；

装置，其设置于该表面半导体层上；

深沟槽，其邻近于该装置并且延伸通过该浅沟隔离层及该埋入式介电层至该半导体基板基底中；

硅层，其设置于该深沟槽的下部中并直接接触该半导体基板基底，该硅层的一顶表面高度与该半导体基板基底的顶表面高度实质上相同或较低；以及

介电层，其设置于该深沟槽中的该硅层上。

2.如权利要求1所述的可抑制谐波效应的半导体结构，其中，该深沟槽的下部具有实质连续壁形状、或以其一截面来看为多边形或碗形。

3.如权利要求1所述的可抑制谐波效应的半导体结构，其中，该硅层包括经过离子注入制作工艺而形成的离子注入的多晶硅。

4.如权利要求1所述的可抑制谐波效应的半导体结构，其中，该硅层包括未经过离子注入制作工艺的多晶硅。

5.如权利要求1所述的可抑制谐波效应的半导体结构，其中，该硅层包括经过离子注入制作工艺而形成的离子注入的非晶硅。

6.如权利要求1所述的可抑制谐波效应的半导体结构，其中，该硅层包括未经过离子注入制作工艺的非晶硅。

7.一种形成可抑制谐波效应的结构的方法，包括：

提供一半导体基板，该半导体基板包括：

半导体基板基底，

埋入式介电层，其位于该半导体基板基底上，及

表面半导体层，其位于该埋入式介电层上；

形成一深沟槽，使其延伸通过该表面半导体层及该埋入式介电层至该半导体基板基底中；

于该深沟槽的一下部中形成一硅层，使该硅层的顶表面高度与该半导体基板基底的顶表面高度实质上同高或较低；以及

于该深沟槽中的该硅层上形成一介电层。

8.如权利要求7所述的形成可抑制谐波效应的结构的方法，进一步，于形成该硅层后，包括对该硅层的表面进行离子注入制作工艺。

9.如权利要求7所述的形成可抑制谐波效应的结构的方法，进一步，于形成该硅层之前，包括对该深沟槽底部的半导体基板基底表面进行离子注入制作工艺。

10.如权利要求7所述的形成可抑制谐波效应的结构的方法，其中，该硅层包括多晶硅，且于形成该硅层后，对该多晶硅进行离子注入制作工艺而使该多晶硅非晶化。

11.如权利要求7所述的形成可抑制谐波效应的结构的方法，其中，形成该深沟槽的步骤包括进行非等向蚀刻制作工艺，以使该深沟槽具实质连续壁形状。

12.如权利要求7所述的形成可抑制谐波效应的结构的方法，其中，形成该深沟槽的步骤包括先进行非等向蚀刻制作工艺之后，再进行等向蚀刻制作工艺，以使该深沟槽的下部的一截面具有碗形的形状。

13.如权利要求7所述的形成可抑制谐波效应的结构的方法，其中，形成该深沟槽的步骤包括：

于该表面半导体层上形成一硬掩模，其具有图案；

经由该硬掩模对该表面半导体层、该埋入式介电层、及该半导体基板基底蚀刻而形成该深沟槽；以及

移除该硬掩模层。

14.如权利要求13所述的形成可抑制谐波效应的结构的方法，其中，形成该硅层的步骤包括：

于移除该硬掩模层前，进行一毯覆式沉积以于该深沟槽中填入硅，进行一化学机械研磨制作工艺并停止于该硬掩模层，及对该硅层进行回蚀刻。