[发明专利]CMOS图像传感器结构在审
| 申请号： | 201310270993.X | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103325804A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 饶金华 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 结构 | ||
1.一种CMOS图像传感器结构，其特征在于包括：衬底、布置在衬底上的氧化硅层、布置在氧化硅层上的第一氮化硅层、布置在第一氮化硅层上的第二氮化硅层、在第二氮化硅层上邻接布置的多个彩色滤光片、以及分别布置在各个彩色滤光片上的多个微透镜；
而且，在氧化硅层和第一氮化硅层中，在与邻接布置的任意两个彩色滤光片的邻接位置相对应的位置处以及邻接布置的多个彩色滤光片的最外侧彩色滤光片的外边缘处，形成有空隙。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，在第二氮化硅层上邻接布置作为绿色滤光片的第一彩色滤光片、作为红色滤光片的第二彩色滤光片、以及作为蓝色滤光片的第三彩色滤光片。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，在第二氮化硅层上邻接布置作为绿色滤光片的第一彩色滤光片、作为蓝色滤光片的第二彩色滤光片、以及作为红色滤光片的第三彩色滤光片。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，在第二氮化硅层上邻接布置作为红色滤光片的第一彩色滤光片、作为绿色滤光片的第二彩色滤光片、以及作为蓝色滤光片的第三彩色滤光片。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，在第二氮化硅层上邻接布置作为蓝色滤光片的第一彩色滤光片、作为红色滤光片的第二彩色滤光片、以及作为绿色滤光片的第三彩色滤光片。
6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，在第二氮化硅层上邻接布置作为蓝色滤光片的第一彩色滤光片、作为绿色滤光片的第二彩色滤光片、以及作为红色滤光片的第三彩色滤光片。
7.根据权利要求1至6之一所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，在作为绿色滤光片的第一彩色滤光片、作为红色滤光片的第二彩色滤光片、以及作为蓝色滤光片的第三彩色滤光片上分别布置第一微透镜、第二微透镜和第三微透镜。
8.根据权利要求1至6之一所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，在衬底中，在与邻接布置的任意两个彩色滤光片的邻接位置相对应的位置处以及邻接布置的多个彩色滤光片的最外侧彩色滤光片的外边缘处，形成有浅沟槽隔离区。
9.根据权利要求1至6之一所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，衬底中的相邻浅沟槽隔离区之间形成有光电二极管。
10.根据权利要求1至6之一所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，在各个彩色滤光片下方的氧化硅层中分别形成有与各个彩色滤光片相对应的金属体和半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
