[发明专利]沟槽型MOS晶体管制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于包括：

提供衬底，所述衬底包括有源区和外围区；

在所述衬底上形成层间介质层，刻蚀所述层间介质层以形成有源区通孔和外围区保护环；

在所述有源区通孔和外围区保护环中形成硼磷硅玻璃；

去除所述有源区通孔中的硼磷硅玻璃，同时去除外围区保护环中的部分第一硼磷硅玻璃；

进行源漏区离子注入；

再次在所述有源区通孔和外围区保护环中形成硼磷硅玻璃；

刻蚀所述有源区通孔中的硼磷硅玻璃以形成侧墙；

以所述侧墙为掩膜刻蚀所述衬底形成与有源区接触的接触孔。

2.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，两次形成硼磷硅玻璃的厚度皆为。

3.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，两次形成硼磷硅玻璃皆为采用沉积和回流工艺。

4.如权利要求3所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃回流工艺的回流温度为700℃-900℃。

5.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成层间介质层之前，还包括：

所述衬底中形成有沟槽；

在所述沟槽中形成栅极结构。

6.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，在刻蚀所述层间介质层形成有源区通孔和外围区保护环之后，在所述通孔和保护环中形成硼磷硅玻璃之前，还包括：

进行阱区离子注入和外围区离子注入。

7.如权利要求6所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，所述阱区离子注入、外围区离子注入及源漏区离子注入为N型注入。

8.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述通孔中的硼磷硅玻璃。

9.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，在进行源漏区离子注入之后，在再次在所述通孔和保护环中形成硼磷硅玻璃之前，还包括：

沉积侧墙的氧化层；

对所述源漏极进行退火处理。

10.如权利要求1所述的沟槽型MOS晶体管制造方法，其特征在于，在形成与有源区接触的接触孔之后，还包括：

形成接触孔阻挡层和金属层。