[发明专利]一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种CdTe纳米晶异质结太阳电池，由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。

2.根据权利要求1所述的CdTe纳米晶异质结太阳电池，其特征在于：所述的阴极界面层指ZnO或TiO₂薄膜，厚度为0.1～100nm；所述的光活性层厚度为300～700nm，由一层或多层CdTe纳米晶层组成。

3.根据权利要求1所述的CdTe纳米晶异质结太阳电池，其特征在于：所述阴极指氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡、金属膜和金属氧化物薄膜中的至少一种，厚度为80～200nm；所述的窗口层为CdS薄膜，厚度为40～150nm。

4.根据权利要求1所述的CdTe纳米晶异质结太阳电池，其特征在于：所述的阳极为Ag或者Al，其厚度为80～200nm；所述的光活性层和阳极之间有一层MoO₃氧化膜，厚度为5～40nm。

5.根据权利要求1所述的CdTe纳米晶异质结太阳电池，其特征在于：所述的光活性层由以下方法制备得到：将CdTe纳米晶溶解于有机溶剂，得到溶液，将上述溶液经旋涂、刷涂、喷涂、浸涂、辊涂、丝网印刷、印刷或喷墨打印方式沉积在窗口层上，得到CdTe纳米晶层，形成光活性层。

6.根据权利要求5所述的CdTe纳米晶异质结太阳电池，其特征在于：所述的有机溶剂指极性有机溶剂，包括正丙醇、吡啶、奈啶、甲基吡啶、苯甲醇或体积分数为1:1的吡啶/正丙醇混合溶液；所述溶液的浓度为0.001～1g/mL。

7.根据权利要求1所述的CdTe纳米晶异质结太阳电池，其特征在于：所述阴极界面层通过溶液法加工得到，包含以下具体步骤：将对应材料的纳米晶或前驱体溶解在有机溶剂中，得到溶液；将上述溶液采用旋涂、刷涂、喷涂、浸涂、辊涂、丝网印刷、印刷或喷墨打印方式沉积在阴极上，形成阴极界面层。

8.根据权利要求7所述的CdTe纳米晶异质结太阳电池，其特征在于：所述溶液的浓度为0.001～1g/mL；所述的有机溶剂指醇、醇的水溶液或体积分数为1:1的吡啶/正丙醇混合溶液。

9.根据权利要求1～8任一项所述CdTe纳米晶异质结太阳电池的制备方法，其特征在于包含以下具体步骤：

①将附着有阴极的玻璃衬底清洗，干燥。

②采用溶液法在阴极表面沉积阴极界面层。

③采用化学溶剂热沉积法在阴极界面层上沉积窗口层。

④采用溶液法在窗口层上沉积光活性层。

⑤采用蒸镀法在光活性层上先后镀上氧化膜和阳极。

即得CdTe纳米晶异质结太阳电池。