[发明专利]一种二极管芯片制备工艺

权利要求书

1.一种二极管芯片制备工艺，其特征包括以下步骤： 

（1）准备未电镀的电极金属片；

（2）将上述电极金属片，以及焊片和加工完成PN结后的硅片按常规依次进行组装、高温烧结和涂胶固化；

（3）将涂胶固化后的二极管芯片进行化学镀锡或镀镍，使二极管芯片的两电极金属片外表面形成镀锡层或镀镍层；

（4）测试和包装。

2.根据权利要求1所述的一种二极管芯片制备工艺，其特征是：所述化学镀锡包括以下步骤：

（1）将烧结和涂胶后的二极管芯片放入热水中浸泡，温度80℃以上，时间1分钟；

（2）将上述浸泡过的二极管芯片捞出，并迅速放入化学镀镀液中完全浸没，其镀液成份为：氯化亚铅5-8g/L，氯化亚锡14-16g/L，盐酸70-100g/L，次亚磷酸钠50-80g/L，硫脲120-150g/L，添加剂5-20g/L，其余为水；镀液温度为70―80℃，化学镀时间为5-10分钟；

（3）从镀液中捞出二极管芯片，并迅速将二极管芯片放入洁净热水中清洗干净，热水温度75℃以上；

（4）将清洗干净的二极管芯片用风吹干。

3.根据权利要求1所述的一种二极管芯片制备工艺，其特征是：所述化学镀镍包括以下步骤：

（1）将烧结和涂胶后的二极管芯片放入热水中浸泡，温度80℃以上，时间1分钟；

（2）将上述浸泡过的二极管芯片捞出，并迅速放入化学镀镀液中完全浸没，其镀液成份为：硫酸镍30-40g/L，次亚磷酸钠20-30g/L，添加剂2g/L，其余为水，镀液温度为85―95℃，化学镀时间为30-60分钟；

（3）从镀液中捞出二极管芯片，并迅速将二极管芯片放入洁净热水中清洗干净，热水温度75℃以上；

（4）将清洗干净的二极管芯片用风吹干。