[发明专利]覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：

准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；

半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述支承片的厚度方向一侧；

层配置工序，在上述半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖上述半导体元件的方式配置在上述支承片的上述厚度方向一侧；

密封工序，使上述密封层固化，从而利用挠性的上述密封层密封上述半导体元件；

切断工序，在上述密封工序之后，与上述半导体元件相对应地切断挠性的上述密封层，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及

半导体元件剥离工序，在上述切断工序之后，将上述覆有密封层的半导体元件从上述支承片剥离下来。

2.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

上述密封层由密封片形成。

3.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在上述层配置工序中，利用B阶段的上述密封层覆盖上述半导体元件，

在上述密封工序中，使上述密封层固化从而达到C阶段，利用C阶段的上述密封层密封上述半导体元件。

4.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

上述支承片还具有层叠在上述支承板的上述厚度方向一侧的表面的粘合层。

5.根据权利要求4所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在上述半导体元件剥离工序中，将上述覆有密封层的半导体元件从上述支承板及上述粘合层剥离下来。

6.根据权利要求4所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在上述切断工序之后，且在上述半导体元件剥离工序之前，还具有将上述支承板从上述粘合层剥离下来的支承板剥离工序，

在上述半导体元件剥离工序中，将上述覆有密封层的半导体元件从上述粘合层剥离下来。

7.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

上述半导体元件剥离工序具有：

将上述覆有密封层的半导体元件转印到能够在与上述厚度方向正交的正交方向延伸的延伸支承片上的工序；以及

使上述延伸支承片在上述正交方向延伸，并且将上述覆有密封层的半导体元件从上述延伸支承片剥离下来的工序。

8.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在上述准备工序中，以预先设置在上述切断工序中作为切断基准的基准标记的方式准备上述支承片。

9.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

上述半导体元件为LED，

上述密封层为荧光体层。

10.根据权利要求1所述的覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

上述密封层具有：

覆盖部，其用于覆盖上述半导体元件；以及

反射部，其含有光反射成分，且以包围上述覆盖部的方式形成。

11.一种覆有密封层的半导体元件，其特征在于，

该覆有密封层的半导体元件是由如下的覆有密封层的半导体元件的制造方法获得的，该覆有密封层的半导体元件的制造方法具有：

准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；

半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述支承片的厚度方向一侧；

层配置工序，在上述半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖上述半导体元件的方式配置在上述支承片的上述厚度方向一侧；

密封工序，使上述密封层固化，从而利用挠性的上述密封层密封上述半导体元件；

切断工序，在上述密封工序之后，与上述半导体元件相对应地切断挠性的上述密封层，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及

半导体元件剥离工序，在上述切断工序之后，将上述覆有密封层的半导体元件从上述支承片剥离下来。

12.一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具有基板及安装于上述基板的覆有密封层的半导体元件，

上述覆有密封层的半导体元件是由如下的覆有密封层的半导体元件的制造方法获得的，该覆有密封层的半导体元件的制造方法具有：

准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；

半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述支承片的厚度方向一侧；

层配置工序，在上述半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖上述半导体元件的方式配置在上述支承片的上述厚度方向一侧；

密封工序，使上述密封层固化，从而利用挠性的上述密封层密封上述半导体元件；

切断工序，在上述密封工序之后，与上述半导体元件相对应地切断挠性的上述密封层，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及

半导体元件剥离工序，在上述切断工序之后，将上述覆有密封层的半导体元件从上述支承片剥离下来。