[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体器件及其制造方法。公开的半导体器件能够处理多个不同高频率的非接触通信模式，并由多芯片结构形成。执行高频率非接触通信的接口控制和通信数据的数据处理的第一半导体芯片被装载在布线板上；执行通信数据的另一个数据处理的第二半导体芯片被装载在第一半导体芯片上。在这种情况下，第一半导体芯片中的发送焊盘与接收焊盘的相比布置在距芯片的周边较远的位置，第二半导体芯片通过在第一半导体芯片上偏置来装载，以便避开发送焊盘。

相关申请的交叉引用

2012年7月3日提交的日本专利申请号2012-149284的公开内容，包含其说明书、附图和摘要通过引用整体并入至本文。

技术领域

本发明涉及半导体器件，其中，用于非接触通信的一个层叠在另一个上的两个半导体芯片被装载在布线板上，此外涉及制造该器件的方法。本发明特别涉及两个半导体芯片的层压形式和焊盘的布置的优化，此外涉及当应用至例如IC卡或者具有非接触通信接口的移动通信终端时有效的技术。

背景技术

如专利文献1中说明的那样，要应用至IC卡等的高频率非接触通信接口模式包含：符合ISO（国际标准化组织）/IEC（国际电工委员会）14443的类型A和类型B、符合ISO/IEC18092的NFC（近场通信）212kbps被动模式等。能够处理这些非接触通信接口模式的半导体器件包含单独处理一个通信模式的器件和处理上述三个通信模式中的每个的器件这两者，如专利文献1中说明的那样。

每个上述类型A、类型B和NFC212kbps被动模式（为了方便起见，还被称为类型C）的载波频率是13.56MHz，与其他的相等。类型A中接收的信号的调制模式是ASK100%，类型B中是ASK10%，类型C中是ASK10%。执行发送/接收的信号的位编码以符合每个规范，从而彼此不同。

在专利文献1中公开的半导体集成电路配置如下：确定接收的信号符合哪个规范；并依据符合确定结果的类型来执行信号解码和安全处理。该半导体集成电路包含电源电路、解调电路、调制电路、执行通信类型的确定和对发送/接收的数据的编码/解码处理的非接触控制电路、以及执行安全处理（诸如用于发送/接收和认证的编码/解码）的数据处理电路。据称该半导体集成电路可以具有单芯片结构或者多芯片结构。当采用了多芯片结构时，据称：电源电路、解调电路、调制电路、以及非接触控制电路可以被装载在第一半导体芯片中；RAM、ROM、CPU、EEPROM、以及带有第一芯片的接口电路可以在第二半导体芯片中。

专利文献

专利文献1：日本未审查专利公开号2010-9353

专利文献2：日本未审查专利公开号2010-171169

发明内容

本发明人进行了进一步研究，以通过多芯片结构来形成能够处理多个不同高频率非接触通信模式（以上述类型A、类型B和类型C为代表）的半导体器件。如上所述，根据专利文献1，高频率接口电路和依据不同的通信模式执行调制/解调、数据的解码和编码的电路被装载在第一芯片中；依据每个不同的通信模式来执行安全处理等的数据处理电路被装载在第二芯片中。

然而在该情况下，需要新开发第一芯片和第二芯片二者。例如，无法利用在类型C的非接触通信模式中已被用于基带处理或者安全处理的现有半导体芯片。此外，依据上述三个不同的通信模式中的每个来执行安全处理等的数据处理电路旨在装载在第二芯片中，用于存储各安全处理程序的ROM的存储容量、此外用来配置用于数据处理的工作区域或者用于临时存储数据的区域的RAM的存储容量变大，因而使第二芯片的尺寸远大于第一芯片的尺寸。通过层叠多个半导体芯片（其尺寸彼此极为不同）形成的半导体器件的尺寸会变得比需要更大。