[发明专利]一种太阳能电池吸收层的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1）提供一基底，于所述基底表面形成底电极；

2）加热基底，并以黄铜矿相的CuIn_1-xGa_xSe₂化合物为靶材，采用射频磁控溅射法于所述底电极表面制备CuIn_1-xGa_xSe₂吸收层薄膜；

3）进行退火工艺使所述CuIn_1-xGa_xSe₂吸收层薄膜结晶。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于：所述基底为玻璃、柔性金属或聚酰亚胺膜，所述底电极的材料为Mo。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于：步骤2）制备CuIn_1-xGa_xSe₂吸收层薄膜所采用的基底温度为100～450℃，气氛为Ar气，气压为0.1～1.5Pa，射频磁控溅射的靶功率密度为1.0～5.0W/cm²。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于：所述CuIn_1-xGa_xSe₂吸收层薄膜的厚度为0.7～2.5μm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于：所述CuIn_1-xGa_xSe₂吸收层薄膜中的x的范围为0～1。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于：步骤3）中，退火工艺的温度为350～590℃，时间为5～30min，气氛为真空或Ar气。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于：还包括于所述CuIn_1-xGa_xSe₂吸收层薄膜表面制备依次层叠的缓冲层、窗口层、透明导电层、上电极以及减反射膜的步骤。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于：所述缓冲层的材料为CdS和ZnS其中一种或两者的混合。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于：

制备所述缓冲层之前还包括于所述CuIn_1-xGa_xSe₂吸收层薄膜表面制备In₂S₃薄膜，使所述CuIn_1-xGa_xSe₂吸收层薄膜表面形成CuIn_1-xGa_xSe2_-yS_y层的步骤，其中，0<x<1，0<y<1。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于：所述In₂S₃薄膜的厚度为5～50nm。