[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310273049.X | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104282617B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；
在所述硅通孔中形成导电层；
形成覆盖所述硅通孔顶部的BCB层，以完全填充形成于所述硅通孔的边缘靠近所述硅通孔的顶部的位置的凹坑缺陷；
执行化学机械研磨直至露出所述硅通孔的顶部。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述BCB层的厚度为4-5微米。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述BCB层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述硅通孔的步骤包括：在所述半导体衬底上形成光刻胶层；通过曝光、显影在所述光刻胶层中形成所述硅通孔的顶部开口的图案；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，蚀刻所述半导体衬底以在其中形成所述硅通孔；通过灰化去除所述光刻胶层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层由金属材料构成，所述金属材料包括Pt、Au、Cu、Ti和W中的一种或者多种。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述导电层由Cu构成。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述导电层与所述硅通孔之间还依次形成有衬垫层和阻挡层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的构成材料为金属、金属氮化物或者其组合。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述衬垫层为绝缘层，其构成材料为氧化物。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述导电层层之后，还包括执行化学机械研磨直至露出所述硅通孔的顶部的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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