[发明专利]强电介质薄膜形成用组合物、强电介质薄膜的形成方法及通过该方法形成的强电介质薄膜

权利要求书

1.一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，

是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(Pb_xLa_y)(Zr_zTi_(1-z))O₃表示的复合金属氧化物A中混合包含选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9，

包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例、并且、

复合氧化物B含有Sn时，复合氧化物B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0.003≦B/A≦0.05的范围内地溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液，

复合氧化物B含有选自Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上时，复合氧化物B和复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0.005≦B/A<0.03的范围内地溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。

2.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，用于构成复合金属氧化物A及复合氧化物B的原料是有机基团经由其氧或氮原子与金属元素键合的化合物。

3.如权利要求2所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，用于构成复合金属氧化物A及复合氧化物B的原料是选自金属醇盐、金属二醇配位化合物、金属三醇配位化合物、金属羧酸盐、金属β-二酮配位化合物、金属β-二酮酯配位化合物、金属β-亚氨基酮配位化合物及金属氨基配位化合物的1种或2种以上。

4.如权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物，其中，以相对于组合物中的金属总量1摩尔为0.2～3摩尔的比例进一步含有选自β-二酮、β-酮酸、β-酮酯、羟基酸、二醇、三醇、高级羧酸、烷醇胺及多元胺的1种或2种以上稳定化剂。

5.一种强电介质薄膜的形成方法，其特征在于，将权利要求1所述的强电介质薄膜形成用组合物涂布于耐热性基板，在空气中、氧化氛围中或含水蒸气氛围中进行加热的工序进行1次或重复进行至能够得到所希望厚度的膜，至少在最终工序中的加热中或加热后将该膜在结晶化温度以上进行烧成。

6.一种强电介质薄膜，是通过权利要求5所述的方法形成的。

7.具有权利要求6所述的强电介质薄膜的薄膜电容器、电容器、IPD、DRAM存储器用电容器、叠层电容器、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热电型红外线检测元件、压电元件、电气光学元件、激励器、共振子、超声波马达或LC噪声过滤器元件的复合电子部件。

8.权利要求7所述的对应于100MHz以上频带的、具有强电介质薄膜的薄膜电容器、电容器、IPD、DRAM存储器用电容器、叠层电容器、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热电型红外线检测元件、压电元件、电气光学元件、激励器、共振子、超声波马达或LC噪声过滤器元件的复合电子部件。