[发明专利]包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1. 一种半导体器件，包括：

掺杂层，其包含第一导电性类型的第一掺杂剂；以及

反掺杂区，其形成在围绕半导体器件的元素区域的边缘区域中的掺杂层中，其中反掺杂区包含至少第一掺杂剂和第二导电性类型的第二掺杂剂，该第二导电性类型与第一导电性类型相反，其中第二掺杂剂的浓度为第一掺杂剂的浓度的至少20%和至多100%。

2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中第二掺杂剂对第一掺杂剂的掺杂的掺杂补偿是至少20%和至多100%。

3. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中反掺杂区不形成在元素区域中。

4. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中晶体管单元的源区形成在元素区域中的掺杂层的一部分中。

5. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中二极管的阳极区形成在元素区域中的掺杂层的一部分中。

6. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中第一掺杂剂是磷并且第二掺杂剂是硼。

7. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中掺杂层包括场截止区和毗邻场截止区的漂移区，其中场截止区中的净掺杂剂浓度高于漂移区中的浓度，并且其中反掺杂区完全或部分地形成在场截止区中。

8. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中掺杂层包括漂移区、直接毗邻漂移区的场截止区以及在相对于漂移区的场截止区的一侧上直接毗邻场截止区的衬底层，其中场截止区中的净掺杂剂浓度高于漂移区中的浓度并且衬底层中的净掺杂剂浓度高于场截止区中的浓度，并且其中反掺杂区完全或部分地形成在衬底层中。

9. 根据权利要求8所述的半导体器件，其中，衬底层包含第一导电性类型的第三掺杂剂且掺杂层中的反掺杂区包含第一和第二掺杂剂，并且其中，第一和第三掺杂剂的总浓度高于反掺杂区中的第二掺杂剂的浓度。

10. 根据权利要求9所述的半导体器件，其中，第一掺杂剂是磷，第二掺杂剂是硼，并且第三掺杂剂是砷。

11. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，掺杂层的一部分是外延层。

12. 根据权利要求8所述的半导体器件，还包括被电连接到漂移区的背面金属化，其中，在边缘区域中，在漂移区与背面金属化件之间形成反掺杂区。

13. 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在其他掺杂层中形成的第二导电性类型的漂移区，该其他掺杂层直接毗邻于包括反掺杂区的掺杂层。

14. 根据权利要求13所述的半导体器件，还包括被电连接到掺杂层和反掺杂区的背面金属化件，其中，在边缘区域中，在漂移区与背面金属化之间形成反掺杂区。

15. 一种功率绝缘栅场效应晶体管，包括：

掺杂层，其包含第一导电性类型的第一掺杂剂元素；以及

反掺杂区，其形成在围绕半导体器件的元素区域的边缘区域中的掺杂层中，其中，反掺杂区包含至少第一掺杂剂元素和第二导电性类型的第二掺杂剂元素，该第二导电性类型与第一导电性类型相反，其中，第二掺杂剂元素的浓度为第一掺杂剂元素的浓度的至少20%和至多100%。

16. 一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

提供掺杂层，该掺杂层包含第一导电性类型的第一掺杂剂；以及

在围绕半导体器件的元素区域的边缘区域中的掺杂层中形成反掺杂区，其中，该反掺杂区包含至少第一掺杂剂和第二导电性类型的第二掺杂剂，该第二导电性类型与第一导电性类型相反，其中，第二掺杂剂的浓度为第一掺杂剂的浓度的至少20%和至多100%。

17. 根据权利要求16所述的方法，其中，第二掺杂剂对掺杂剂的掺杂补偿为至少20%和至多100%。

18. 根据权利要求16所述的方法，其中，反掺杂区不在元素区域中形成。

19. 根据权利要求16所述的方法，还包括在元素区域中的掺杂层的一部分中形成晶体管单元的源区。

20. 根据权利要求16所述的方法，还包括在元素区域中的掺杂层的一部分中形成二极管的阳极区。

21. 根据权利要求16所述的方法，其中，第一掺杂剂是磷且第二掺杂剂是硼。