[发明专利]高可靠性绝缘导热基板

权利要求书

1.一种高可靠性绝缘导热基板，包括铝或铝合金基体，其特征在于在所述基体上沉积有非晶态铝过渡层，在所述铝过渡层上通过PECVD方法沉积AlON绝缘导热陶瓷层，在所述绝缘导热陶瓷层上通过活性钎焊工艺将铜箔钎焊在绝缘导热陶瓷层上。

2.根据权利要求1所述的高可靠性绝缘导热基板，其特征在于所述非晶态铝过渡层的厚度为100-500 nm。

3.根据权利要求1或2所述的高可靠性绝缘导热基板，其特征在于所述非晶态铝过渡层通过射频溅射工艺制备得到，靶材为纯度为99.99%的铝靶，溅射气体为Ar，溅射功率为0.5-1.2 kW，射频频率为13.56MHz，工作压强为3-5×10^-3 torr, 基体温度为25-50℃。

4.根据权利要求1所述的高可靠性绝缘导热基板，其特征在于所述绝缘导热陶瓷层的厚度为10-500 um。

5.根据权利要求4所述的高可靠性绝缘导热基板，其特征在于所述的PECVD方法的反应体系为AlCl₃-N₂O-NH₃-H₂，反应温度为280-300℃，工作压强为0.8-1.5 torr, 其中AlCl₃的流量为150-250 sccm, N₂O的流量为3-5sccm，NH₃的流量800-1000 sccm，H₂的流量为2000-3000 sccm, 射频频率为13.56MH_Z，射频功率为50-100W。

6.根据权利要求1所述的高可靠性绝缘导热基板，其特征在于所述活性钎焊使用的钎料含有12.5-15.0 wt%的Zn、5.1-7.2 wt%的Al、2.1-3.5wt%的Ag、0.8-1.0 wt%的Cd、2.1-2.5 wt%的Ti、1.2-1.8wt%的Sn、0.65-0.95wt%的Mn、1.8-2.1wt%的Ni、0.15-0.30wt%的Li、0.1-0.2wt%的B和余量的Cu。

7.根据权利要求6所述的高可靠性绝缘导热基板，其特征在于钎焊温度范围为581-600℃。

8.根据权利要求6或7所述的高可靠性绝缘导热基板，其特征在于所述钎料通过水雾法制备得到，其制备方法包括以下步骤：（1）将上述配比的金属粉末原料混合并加热熔化形成合金液，利用压力≥40MPa的雾化水对所述合金液进行冷却粉碎处理，形成合金粉末；（2）对所述合金粉末进行干燥和还原退火处理得到所述的钎料，其中还原退火气氛采用氢气退火，退火温度为250-300℃，退火时间为20-30分钟，还原退火后合金粉末中氧含量<2500 ppm。