[发明专利]白色LED灯的封装结构

权利要求书

1.一种白色LED灯的封装结构，包括铝或铝合金基体，其特征在于在所述基体上沉积导热陶瓷层；在所述导热陶瓷层上依次沉积有荧光陶瓷层和铜导电层，并且通过掩模对所述铜导电层和荧光陶瓷层进行选择性蚀刻形成多个导电基座，在所述导电基座上设置有LED芯片。

2.根据权利要求1所述的白色LED灯的封装结构，其特征在于所述导热陶瓷层为AlN或 AlON，且其厚度为50-200 μm。

3.根据权利要求1或2所述的白色LED灯的封装结构，其特征在于所述导热陶瓷层为AlN层，且通过PECVD方法制备得到，其反应体系为AlCl₃-NH₃-N₂-H₂，反应温度为300-320℃，工作压强为100-200Pa, 其中AlCl₃的流量为150-250 sccm, NH₃的流量为200-300 sccm，N₂的流量100-200 sccm，H₂的流量为1000-1200 sccm, 射频频率为13.56MH_Z，射频功率为50-100W。

4.根据权利要求1或2所述的白色LED灯的封装结构，其特征在于所述导热陶瓷层为AlON，且通过PECVD方法制备得到，其反应体系为AlCl₃-N₂O-N₂-H₂，反应温度为250-280℃，工作压强为100-200Pa, 其中AlCl₃的流量为150-250 sccm, N₂O的流量为200-300 sccm，N₂的流量100-200 sccm，H₂的流量为1000-1200 sccm, 射频频率为13.56MH_Z，射频功率为50-100W。

5.根据权利要求1-4任一项所述的白色LED灯的封装结构，其特征在于所述荧光陶瓷层为铈和硼掺杂的YAG层，采用激光蒸镀工艺制备得到，所述激光蒸镀工艺条件如下：将98wt%的YAG粉末、1.5-1.75wt%的铈粉和0.25-0.50wt%的硼混合均匀后压制成薄片作为靶材；然后采用Nd:YAG激光器，所述Nd:YAG激光器的激光脉冲功率功率为10⁶ W/cm²，频率为1000Hz，脉冲宽度为100 ns，扫描速度为5-10 cm/s,基片与靶材之间的距离为70 cm，沉积温度为550-650℃，厚度为10-20μm。

6.根据权利要求3所述的白色LED灯的封装结构，其特征在于在所述铝或铝合金基体与所述导热陶瓷层之间还具有非晶态铝过渡层，且所述非晶态铝过渡层的厚度为100-500 nm。

7.根据权利要求6所述的白色LED灯的封装结构，其特征在于所述非晶态铝过渡层通过射频溅射工艺制备得到，靶材为纯度为99.99%的铝靶，溅射气体为Ar，溅射功率为0.5-1.2 kW，射频频率为13.56MHz，工作压强为3-5×10-3 torr, 基体温度为25-50℃。

8.根据权利要求6或7所述的白色LED灯的封装结构，其特征在于所述LED芯片为蓝光LED。