[发明专利]防爆的半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块，包括：

导电的下接触件（31）和在垂直方向（v）上与所述下接触件间隔开的、导电的上接触件（32）；

数量为N≥1的半导体芯片（1），其中每个所述半导体芯片：

-具有第一负载接口（11）和第二负载接口（12）；

-利用所述半导体芯片的所述第二负载接口（12）与所述下接触件（31）导电连接；和

-借助于至少一个在所述第一负载接口（11）上粘合的粘合线（4）与所述上接触件（32）导电连接；

防爆剂（62），所述防爆剂布置在所述第一负载接口（11）和所述上接触件（32）之间，并且所述粘合线（4）中的每个粘合线超过所述粘合线长度的至少80%或至少90%埋入所述防爆剂中。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中所述防爆剂（62）的熔点至少为1000℃。

3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中所述防爆剂（62）具有粒料或者设计为粒料。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块，具有由填料（61）或聚酰亚胺（63）组成的覆盖层（61，63），所述覆盖层在所述半导体芯片（1）中的每个半导体芯片的上方从所述半导体芯片的第一负载接口（11）在朝向所述上接触件（32）的方向上延伸，并且所述覆盖层在此处具有厚度（d61，d63），所述厚度最大为所有的在所述第一负载接口（11）上粘合的所述粘合线（4）的最大额定直径的三倍。

5.根据权利要求1所述的半导体模块，其中所述覆盖层（61，63）具有的穿透度小于30。

6.根据权利要求4或5所述的半导体模块，其中所述防爆剂（62）通过所述填料（61）和/或通过所述覆盖层（61，63）与所述半导体芯片（1）中的每个半导体芯片间隔开。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，具有导电的、金属的覆盖层（65），所述覆盖层借助于导电的连接层（66）安置在所述第一负载接口（11）的、背对所述第二负载接口（12）的侧面上，并且通过所述连接层（66）形状配合地并且与所述第一负载接口（11）导电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体模块，其中金属的所述覆盖层（65）具有钼或者由钼制成。

9.根据权利要求7所述的半导体模块，其中金属的所述覆盖层（65）具有彼此连续布置的第一金属次层（651）、第二金属次层（652）和第三金属次层（653），其中，所述第二金属次层（652）布置在所述第一金属次层（651）和所述第三金属次层（653）之间。

10.根据权利要求9所述的半导体模块，其中所述第一金属次层（651）和所述第三金属次层（653）具有相同材料或由相同材料制成。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的半导体模块，其中金属的所述覆盖层（65）具有在从0.2mm至2.0mm的范围中的厚度（d65）。

12.根据权利要求7所述的半导体模块，其中金属的所述覆盖层（65）具有铜或由铜制成。

13.根据权利要求12所述的半导体模块，其中金属的所述覆盖层（65）具有在从0.1mm至0.5mm的范围中的厚度（d65）。

14.根据权利要求7至13中任一项所述的半导体模块，其中所述防爆剂（62）直接贴靠在金属的所述覆盖层（65）的、背对所述第二负载接口（12）的侧面上。

15.根据权利要求7至14中任一项所述的半导体模块，其中所述连接层（66）

直接邻接于所述覆盖层（65）；和

直接邻接于所述第一负载接口（11）；和

设计为焊接层，或者设计为具有烧结的金属粉末的层。

16.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块，其中所述第一负载接口（11）设计为金属化层，所述金属化层具有铝或铜，或由铝或铜制成。

17.根据权利要求16所述的半导体模块，其中所述第一负载接口（11）具有在从7μm至100μm的范围中、或在从10μm至40μm的范围中的厚度（d11）。