[发明专利]一种横向恒流二极管

权利要求书

1.一种横向恒流二极管，包括P型衬底（9）、阴极（1）、阳极（11）、第一P型重掺杂区（3）和N型阱区（8），所述第一P型重掺杂区（3）和N型阱区（8）设置在阴极（1）和P型衬底（9）之间并与阴极（1）和P型衬底（9）连接，所述N型阱区（8）包括第一N型重掺杂区（4）、第二P型重掺杂区（5）和第二N型重掺杂区（7），阴极（1）覆盖在第一P型重掺杂区（3）、第一N型重掺杂区（4）和第二P型重掺杂区（5）的顶部和P型衬底（9）的底部，阳极（11）覆盖在第二N型重掺杂区（7）的顶部，且阴极（1）与阳极（11）之间、阴极（1）与第一P型重掺杂区（3）、第一N型重掺杂区（4）和第二P型重掺杂区（5）的接触面均通过氧化层（2）隔开，其特征在于，所述N型阱区（8）还包括P型轻掺杂区（6），所述P型轻掺杂区（6）和第二P型重掺杂区（5）连接构成P型阱区，且P型轻掺杂区（6）设置在第二P型重掺杂区（5）靠近第二N型重掺杂区（7）的一侧。

2.根据权利要求1所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述P型轻掺杂区（6）的厚度小于第二P型重掺杂区（5）且长度大于第二P型重掺杂区（5）。

3.根据权利要求1所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述阴极（1）上设置有阴极场板（12），所述阳极上设置有阳极场板（13）。

4.根据权利要求3所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述阴极场板（12）和阳极场板（13）具有多种尺寸。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述第二N型重掺杂区（7）和N型阱区（8）之间设置有缓冲层（10），所述缓冲层（10）的浓度在第二N型重掺杂区（7）和N型阱区（8）的掺杂浓度之间。

6.根据权利要求1～4任意一项所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述P型轻掺杂区（6）和第二P型重掺杂区（5）具有相同的掺杂浓度和深度。

7.根据权利要求5所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述P型轻掺杂区（6）和第二P型重掺杂区（5）具有相同的掺杂浓度和深度。

8.根据权利要求1～4任意一项或7所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述P型轻掺杂区（6）由多个场限环结构组成。

9.根据权利要求6所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述P型轻掺杂区（6）由多个场限环结构组成.

10.根据权利要求1～4任意一项或7或9所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述P型阱区采用RESURF结构、triple RESURF结构和场限环结构中的一种结构构成。