[发明专利]一种利用电池内阻对其进行加热的温控装置有效

专利信息
申请号: 201310276105.5 申请日: 2013-07-03
公开(公告)号: CN103346364A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 刘延海;李华 申请(专利权)人: 天津雅迪实业有限公司
主分类号: H01M10/50 分类号: H01M10/50
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人: 郑乘澄
地址: 30040*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 电池 内阻 进行 加热 温控 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及蓄电池技术领域,特别是涉及一种利用电池内阻对其进行加热的温控装置。

背景技术

目前,随着社会的高速发展,人们环保意识不断得以增强,以蓄电池作为能源的电动车越来越受到人们的喜爱,通过长期的实践环节发现,当蓄电池的工作环境温度过低时,比如当外界环境温度低于零下20摄氏度时,由于蓄电池内部的构造原因,在蓄电池充电过程中,会导致蓄电池充电无法达到100%满格的状态,在蓄电池放电过程中,会导致蓄电池无法将里面的电量全部排放干净,因此这样长时间的充电和放电状态将会导致蓄电池的使用质量越来越差,同时导致蓄电池的使用寿命越来越短。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:提供一种利用电池内阻对其进行加热的温控装置。

本发明为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:

一种利用电池内阻对其进行加热的温控装置,包括:

温度传感器,用于采集电池本体的温度信息;

逻辑控制电路,用于接收所述温度信息,根据所述温度信息的大小进行逻辑分析判断,并做出控制指令输出;

MOS驱动电路,用于接收所述控制指令输出,根据所述控制指令输出实现驱动信号的输出;

以及功率半桥电路,用于接收所述驱动信号,并根据驱动信号实现对电池自身温度的控制。

作为优选技术方案,本发明还采用了如下的技术特征:

所述逻辑控制电路为单片机,所述单片机的模数转换模块与所述温度传感器电连接,所述单片机利用自身的定时器产生PWM信号,当所述温度信息不大于预设值时,单片机将PWM信号发送给MOS驱动电路,当所述温度信息大于预设值时,单片机停止将PWM信号发送给MOS驱动电路。

所述MOS驱动电路为半桥驱动芯片IR2102。

所述功率半桥电路包括MOSFET场效应管Q1、MOSFET场效应管Q2、二极管D1、二极管D2、以及电感L1;其中:所述MOSFET场效应管Q1和MOSFET场效应管Q2为N沟道增强型场效应管,电池的负极通过二极管D1与MOSFET场效应管Q1的源极电连接,MOSFET场效应管Q1的漏极与电池的正极电连接;电池的负极与MOSFET场效应管Q2的源极电连接,MOSFET场效应管Q2的漏极通过二极管D2与电池的正极电连接;MOSFET场效应管Q2的漏极通过电感L1与MOSFET场效应管Q1的源极电连接;MOSFET场效应管Q1的栅极与MOS驱动电路的高电平输出端子电连接,MOSFET场效应管Q2的栅极与MOS驱动电路的低电平输出端子电连接。

本发明具有的优点和积极效果是:一、通过采用上述技术方案,本发明利用蓄电池本身的内阻,同时结合外界的环境温度对蓄电池的温度进行智能化调节,从而使得蓄电池处于一种比较理想的工作环境中,因此可以很好地保证蓄电池的充电和放电过程更加充分,同时,延长了蓄电池的使用寿命,增加了蓄电池的安全性能;二、本发明的电子元器件均采用常规的电子元器件,因此适用面广、设计结构简单、使用方便。

附图说明

图1是本发明的电路框图;

图2是本发明的局部电路图,主要用于显示逻辑控制电路的电路结构;

图3是本发明的局部电路图,主要用于显示MOS驱动电路的电路结构;

图4是本发明的局部电路图,主要用于显示功率半桥电路的电路结构。

其中:1、温度传感器;2、逻辑控制电路;3、MOS驱动电路;4、功率半桥电路。

具体实施方式

为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下:

请参阅图1,一种利用电池内阻对其进行加热的温控装置,包括:温度传感器1、逻辑控制电路2、MOS驱动电路3、以及功率半桥电路4;其中:

温度传感器1设置于电池本体的内部,用于采集电池本体的温度信息;

逻辑控制电路2用于接收所述温度信息,根据所述温度信息的大小进行逻辑分析判断,并做出控制指令输出;

MOS驱动电路3用于接收所述控制指令输出,根据所述控制指令输出实现驱动信号的输出;

以及功率半桥电路4用于接收所述驱动信号,并根据驱动信号实现对电池自身温度的控制。

请参阅图2,图2为本发明逻辑控制电路2的一种较佳具体电路,其中:

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