[发明专利]绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法

权利要求书

1.一种绿色晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，形成于衬底内的第一源极、第二源极、漏极以及形成于衬底表面的栅极；

所述漏极形成于栅极底部的衬底内；所述第一源极与第二源极形成于栅极两侧的衬底内，且关于漏极对称；

在所述栅极的底部、第一源极内靠近漏极一侧形成有第一口袋注入区；

在所述栅极的底部、第二源极内靠近漏极一侧形成有第二口袋注入区；

所述第一口袋注入区以及第二口袋注入区的导电类型与漏极相同，且与第一源极以及第二源极相反。

2.如权利要求1所述的绿色晶体管，其特征在于，所述第一口袋注入区或第二口袋注入区通过浅掺杂区与漏极电连接，所述浅掺杂区的导电类型与漏极相同，掺杂浓度较漏极的掺杂浓度低。

3.如权利要求2所述的绿色晶体管，其特征在于，第一口袋注入区以及第二口袋注入区通过同一浅掺杂区与漏极电连接，所述浅掺杂区为漏极的延伸，位于栅极的底部、第一口袋注入区与第二口袋注入区之间。

4.一种应用权利要求1所述绿色晶体管的电阻随机存储器，包括由存储单元所组成的存储阵列，其特征在于，所述存储单元包括一个存储电阻、一个参考电阻以及一个选通管；所述存储电阻以及参考电阻的一端均连接位线，另一端均连接选通管；所述选通管为绿色晶体管，其中栅极连接字线，第一源极或第二源极分别与存储电阻或参考电阻电连接。

5.如权利要求4所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述参考电阻的阻值为恒定值，并且不大于存储电阻的高阻态阻值，不小于存储电阻的低阻态阻值。

6.如权利要求4所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述绿色晶体管的漏极接地或者外置电源。

7.如权利要求4所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述绿色晶体管为N型绿色晶体管或P型绿色晶体管。

8.如权利要求7所述的电阻随机存储器，其特征在于，在存储单元选通以及读、写操作时，字线施加于栅极负向于源极的电压，并超过绿色晶体管的阈值电压。

9.一种应用于权利要求4所述电阻随机存储器的驱动方法，其特征在于，包括：

在进行写操作时，使得位线与绿色晶体管的漏极之间形成高电势差，通过字线控制栅极短暂开启绿色晶体管，形成强电流脉冲，改变存储电阻的阻态，在存储单元中写入数据；

在进行读操作时，使得位线与绿色晶体管的漏极之间均形成低电势差，通过字线控制栅极开启绿色晶体管，形成导通电流，比较流经存储电阻的电流与流经参考电阻的电流的大小，读取存储单元中的数据。

10.如权利要求9所述的驱动方法，其特征在于，所述写操作时，若存储电阻变为高阻态，则存储单元中写入数据定义为1；若存储电阻变为低阻态时，则存储单元中写入数据定义为0。

11.如权利要求10所述的驱动方法，其特征在于，所述读操作时，若流经存储电阻中的电流大于流经参考电阻中的电流，则存储单元数据为0；若流经存储电阻中的电流小于流经参考电阻中的电流，则存储单元数据为1；若两电流相等，则根据参考电阻的阻态，判定存储单元数据值。

12.一种应用权利要求1所述绿色晶体管的电阻随机存储器，包括由存储单元所组成的存储阵列，其特征在于，所述存储单元包括第一存储电阻、第二存储电阻以及一个选通管；所述第一存储电阻以及第二存储电阻的一端分别连接第一位线以及第二位线，另一端均连接选通管；所述选通管为绿色晶体管，其中栅极连接字线；第一源极或第二源极分别与第一存储电阻或第二存储电阻电连接。

13.如权利要求12所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述绿色晶体管的漏极接地或者外置电源。

14.如权利要求12所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述场效应晶体管为N型绿色晶体管或P型绿色晶体管。

15.如权利要求14所述的电阻随机存储器，其特征在于，在存储单元选通以及读、写操作时，字线施加于栅极负向于源极的电压，并超过绿色晶体管的阈值电压。