[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上由下至上依次形成具有第一掺杂的第一鳍部和具有第二掺杂的第二鳍部，第一掺杂与第二掺杂的类型相同，且第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度；或者，

在所述基底上由下至上依次形成具有第一掺杂的第一鳍部和没有掺杂的第二鳍部；

形成横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部的栅极。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成具有第一掺杂的第一鳍部和具有第二掺杂的第二鳍部的方法包括：

在所述基底上形成具有第一掺杂的第一鳍部材料层；

在具有第一掺杂的第一鳍部材料层上形成具有第二掺杂的第二鳍部材料层；

在具有第二掺杂的第二鳍部材料层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义第一鳍部和第二鳍部的位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀具有第一掺杂的第一鳍部材料层和具有第二掺杂的第二鳍部材料层，刻蚀至第一鳍部材料层下表面。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成具有第一掺杂的第一鳍部和没有掺杂的第二鳍部的方法包括：

在所述基底上形成具有第一掺杂的第一鳍部材料层；

在具有第一掺杂的第一鳍部材料层上形成没有掺杂的第二鳍部材料层；

在所述第二鳍部材料层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义第一鳍部和第二鳍部的位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀具有第一掺杂的第一鳍部材料层和所述第二鳍部材料层，刻蚀至所述第一鳍部材料层下表面。

4.如权利要求2或3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第一鳍部和第二鳍部后，形成所述栅极前，还包括：

在所述第一鳍部的全部侧壁或靠近基底的部分侧壁形成侧墙。

5.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或几种。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成具有第一掺杂的第一鳍部和没有掺杂的第二鳍部的方法包括：

在所述基底上形成鳍部结构；

在所述鳍部结构侧壁形成侧墙，所述侧墙的高度小于所述鳍部结构的高度，高出所述侧墙的鳍部结构为第二鳍部，侧壁被所述侧墙覆盖的鳍部结构为第一鳍部；

在所述鳍部结构的上表面形成掩膜层；

形成所述掩膜层后，对所述侧墙和所述第一鳍部进行掺杂，形成具有第一掺杂的第一鳍部；

形成具有第一掺杂的第一鳍部后，去除所述掩膜层。

7.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成鳍部结构的方法为：

在所述基底上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义鳍部结构的位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀部分厚度的所述基底，在基底上形成鳍部结构；

在基底上形成鳍部结构后，去除所述图形化的掩膜层。

8.如权利要求7所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述基底为绝缘体上硅基底，所述绝缘体上硅基底包括：底部衬底、位于底部衬底上的介质层和位于介质层上的顶部硅层；

所述被刻蚀的部分厚度的基底为顶部硅层。

9.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成鳍部结构的方法为：

使用沉积法或外延生长法在所述基底上形成鳍部结构材料层；

在所述鳍部结构材料层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层定义鳍部结构的位置；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述鳍部结构材料层，刻蚀至所述鳍部结构材料层下表面，形成鳍部结构；

形成鳍部结构后，去除所述图形化的掩膜层。

10.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成具有第一掺杂的第一鳍部后，形成所述栅极前，还包括：去除所述侧墙。

11.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或几种。