[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成阱区；

在所述阱区内形成凹槽；

在所述阱区内形成漂移区，漂移区包围所述凹槽，漂移区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反；

在所述凹槽的底部形成掺杂层，所述掺杂层的掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反；

在凹槽内填充满隔离材料，形成浅沟槽隔离结构，隔离材料覆盖所述掺杂层；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的一端延伸至阱区上方，栅极结构的另一端延伸至浅沟槽隔离结构的上方；

在栅极结构一侧的阱区内形成源区，在栅极结构另一侧的漂移区内形成漏区。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂层的材料与半导体衬底的材料相同。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂层的材料为硅，所述掺杂层的厚度为1～50纳米。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述阱区的掺杂类型为P型，漂移区的掺杂类型为N型，掺杂层的掺杂类型为P型。

5.如权利要求4所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂层中掺杂的杂质离子为硼离子、镓离子或铟离子，掺杂层中掺杂的杂质离子的浓度为1E15atom/cm³～1E19atom/cm³。

6.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述阱区的掺杂类型为N型，漂移区的掺杂类型为P型，掺杂层的掺杂类型为N型。

7.如权利要求6所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂层中掺杂的杂质离子为磷离子、砷离子或锑离子，掺杂层中掺杂的杂质离子的浓度为1E15atom/cm³～1E19atom/cm³。

8.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽的形成过程为：在所述半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露半导体衬底表面的开口；沿开口刻蚀所述半导体衬底，形成凹槽。

9.如权利要求8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，还包括：对凹槽的底部顶角进行圆弧化。

10.如权利要求9所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，进行圆弧化的具体过程为：对凹槽侧壁进行热氧化，形成氧化层；去除所述氧化层。

11.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述漂移区的杂质离子掺杂浓度为1E15atom/cm³～1E19atom/cm³，阱区的杂质离子掺杂浓度为1E15atom/cm³～1E19atom/cm³。

12.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，位于半导体衬底内的阱区；

位于阱区内的漂移区，漂移区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反；

位于漂移区内的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的深度小于漂移区的深度；

位于浅沟槽隔离结构底部的掺杂层，所述掺杂层的掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反；

位于半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构的一端延伸至阱区上方，栅极结构的另一端延伸至浅沟槽隔离结构的上方；

位于栅极结构一侧的阱区内的源区，位于栅极结构另一侧的漂移区内的漏区。

13.如权利要求12所述的LDMOS器件，其特征在于，所述掺杂层的材料与半导体衬底的材料相同。

14.如权利要求12所述的LDMOS器件，其特征在于，所述掺杂层的材料为硅，所述掺杂层的厚度为1～50纳米。

15.如权利要求12所述的LDMOS器件，其特征在于，所述阱区的掺杂类型为P型，漂移区的掺杂类型为N型，掺杂层的掺杂类型为P型。