[发明专利]一种微雕三维识别暗记及其形成方法在审
申请号: | 201310277495.8 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103386853A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 郑国义 | 申请(专利权)人: | 郑国义 |
主分类号: | B44C5/00 | 分类号: | B44C5/00;B44C1/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微雕 三维 识别 暗记 及其 形成 方法 | ||
1.一种微雕三维识别暗记,其特征在于,所述微雕三维识别暗记包括微雕识别暗记载体及微雕识别暗记载体上使用激光微雕工艺进行雕刻得到的三维立体结构的图案或文字,所述微雕三维识别暗记的三维尺寸范围为300纳米至1000微米。
2.如权利要求1所述的微雕三维识别暗记,其特征在于,所述微雕三维识别暗记采用点胶、丝印或喷涂的方式植入到物品的表面或内部。
3.如权利要求1所述的微雕三维识别暗记,其特征在于,所述微雕识别暗记载体为金属、半导体或复合材料。
4.一种如权利要求1所述的微雕三维识别暗记的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供微雕识别暗记载体,并在所述微雕识别暗记载体上用激光微雕工艺雕刻出三维立体结构的图案或文字;
步骤2、将雕刻有所述三维立体结构的图案或文字的所述微雕识别暗记载体植入到所述待保护物体的表面或内部。
5.如权利要求4所述的微雕三维识别暗记的形成方法,其特征在于,在步骤1中,所述激光微雕工艺在微米或纳米级别的微雕识别暗记载体上采用光刻机进行雕刻,得到所述三维立体结构的图案或文字。
6.如权利要求4所述的微雕三维识别暗记的形成方法,其特征在于,在步骤2中,所述激光微雕工艺后,将所述微雕识别暗记载体采用点胶、丝印或喷涂的方式植入到所述待保护物体的表面或内部。
7.如权利要求4所述的微雕三维识别暗记的形成方法,其特征在于,所述微雕识别暗记载体为金属、半导体或复合材料。
8.如权利要求4所述的微雕三维识别暗记的形成方法,其特征在于,所述激光微雕工艺雕刻出的所述三维立体结构的图案或文字的三维尺寸范围为300纳米至1000微米。
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