[发明专利]压力传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种压力传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有器件区，所述衬底表面具有第一介质层；

位于器件区的第一介质层表面的第二介质层，所述第二介质层由若干层台阶层堆叠构成，所述第二介质层具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述第二介质层的第一表面与第一介质层相接触，自所述第二介质层的第一表面至第二表面，所述若干层台阶层平行于衬底表面方向的尺寸逐层缩小，第二介质层具有台阶状侧壁；

位于第一介质层和第二介质层表面的第一电极层，所述第一电极层具有台阶区，所述第一电极层的台阶区位于第二介质层的台阶状侧壁表面，所述第一电极层的台阶区表面形貌与所述第二介质层的台阶状侧壁表面形貌相对应，所述第一电极层的台阶区表面呈台阶状；

位于第一电极层表面的第二电极层，所述第二电极层和第一电极层之间电隔离，且器件区的第二电极层和第一电极层之间具有空腔，所述空腔内的第二电极层表面形貌与空腔内的第一电极层表面形貌相互对应，第二电极层与第一电极层台阶区相对的表面呈台阶状；

位于第二电极层表面的第三介质层，所述第三介质层内具有暴露出器件区的第二电极层表面的开口。

2.如权利要求1所述压力传感器，其特征在于，所述若干层台阶层垂直投影于衬底表面的图形为若干同心圆形、若干同心方形或若干同心多边形。

3.如权利要求1所述压力传感器，其特征在于，所述衬底内具有半导体器件、以及电连接所述半导体器件的电互连结构。

4.如权利要求3所述压力传感器，其特征在于，所述第一电极层与所述电互连结构电连接。

5.如权利要求3所述压力传感器，其特征在于，所述半导体器件为CMOS器件。

6.如权利要求1所述压力传感器，其特征在于，所述衬底具有外围区，所述外围区包围所述器件区。

7.如权利要求6所述压力传感器，其特征在于，第一电极层位于器件区和外围区的第一介质层表面，第一电极层表面具有绝缘层，外围区的第二电极层位于所述绝缘层表面，所述绝缘层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

8.如权利要求6所述压力传感器，其特征在于，第一电极层位于器件区的第一介质层表面并暴露出外围区的第一介质层表面，外围区的第二电极层位于第一介质层表面。

9.如权利要求1所述压力传感器，其特征在于，位于第三介质层内的第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞与第一电极层电连接，且所述第一导电插塞与第二电极层电隔离，所述第二导电插塞与第二电极层电连接。

10.如权利要求1所述压力传感器，其特征在于，所述第一介质层的材料为氮化硅或碳氮化硅，所述第一电极层或第二电极层的材料为氮化钛、钛、氮化钽、钽、钨、碳化钛、碳化钽和镧中的一种或多种组合，所述第二介质层或第三介质层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或低K材料。