[发明专利]双L型均流耐应力IGBT模块母排端子在审
申请号: | 201310278087.4 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN103367284A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 常桂钦;彭勇殿;李继鲁;吴煜东 | 申请(专利权)人: | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人: | 赵洪;周长清 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 型均流耐 应力 igbt 模块 端子 | ||
1.一种双L型均流耐应力IGBT模块母排端子,包括发射极母排(6)和集电极母排(7),其特征在于,所述发射极母排(6)的下方设有两个L型的第一引脚(601),所述集电极母排(7)的下方设有两个L型的第二引脚(701),所述两个第一引脚(601)、两个第二引脚(701)在焊接时处于同一条直线上。
2.根据权利要求1所述的双L型均流耐应力IGBT模块母排端子,其特征在于,所述发射极母排(6)上两个第一引脚(601)之间的距离大于所述集电极母排(7)上两个第二引脚(701)之间的距离,在焊接时两个第二引脚(701)位于两个第一引脚(601)之间。
3.根据权利要求1所述的双L型均流耐应力IGBT模块母排端子,其特征在于,所述发集电极母排(7)上两个第二引脚(701)之间的距离大于所述发射极母排(6)上两个第一引脚(601)之间的距离,在焊接时两个第一引脚(601)位于两个第二引脚(701)之间。
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