[发明专利]一体化门极电阻布局的大功率IGBT模块无效
申请号: | 201310278700.2 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN103367303A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 常桂钦;彭勇殿;李继鲁;吴煜东 | 申请(专利权)人: | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L25/00 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人: | 赵洪;周长清 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一体化 电阻 布局 大功率 igbt 模块 | ||
【权利要求书】:
1.一种一体化门极电阻布局的大功率IGBT模块,包括PCB板(1)、母排(3)以及衬板(5),其特征在于,所述衬板(5)与PCB板(1)通过门极弹簧线(4)相连,所述PCB板(1)上直接焊接有门极电阻(2)。
2.根据权利要求1所述的一体化门极电阻布局的大功率IGBT模块,其特征在于,所述门极电阻(2)采用引脚式电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司,未经株洲南车时代电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310278700.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于半导体芯片的切割道
- 下一篇:半导体模块功率互联装置及其方法