[发明专利]薄膜晶体管阵列基板以及使用该基板的液晶显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，具备：

栅极布线，对构成绝缘性基板上的像素的像素电极进行驱动；

源极布线，隔着绝缘膜与所述栅极布线交叉；

源极电极，与所述源极布线连接；

漏极电极，与所述源极电极对置设置并且与所述像素电极连接；以及

半导体层，与所述源极电极以及所述漏极电极连接并且设置在所述源极电极和所述漏极电极的下层，

所述半导体层的端面在所述栅极布线上不与所述源极布线的端面、所述源极电极的端面以及所述漏极电极的端面交叉，

位于所述漏极电极之下的所述半导体层的部分具有在俯视图中内包于所述栅极布线的端面。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

位于所述漏极电极之下的所述半导体层的部分包括：第一部分，在俯视图中向所述栅极布线的外侧露出，并且具有与所述漏极电极的端面相交的端面；第二部分，具有在俯视图中与所述栅极布线的端面相比后退的端面。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

从所述第一部分到所述漏极电极的与所述源极电极的对置面的距离为5μm以上。

4.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

所述第二部分的端面从所述栅极布线的端面后退1.5μm以上。

5.一种液晶显示装置，其特征在于，

使用了权利要求1～3的任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

6.如权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，

所述液晶显示装置是横向电场方式的液晶显示装置。

7.如权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，

具备正面亮度为3000cd/m²以上的背光源。