[发明专利]二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体及其生长方法和应用有效
申请号: | 201310279133.2 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN103351379A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 吴文士;刘国祥;李传辉 | 申请(专利权)人: | 华侨大学 |
主分类号: | C07D333/38 | 分类号: | C07D333/38;C30B7/06;C30B29/54;G02F1/361 |
代理公司: | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人: | 陈雪莹 |
地址: | 362000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非线性 激光 材料 丙酰 噻吩 晶体 及其 生长 方法 应用 | ||
1.一种二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体,其特征在于:所述N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体属于正交晶系,空间群为P212121,分子式C8H10N2O2S,Mr=1988.24,晶体学参数:Z=4,N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼分子由互为垂直的N-(2-噻吩甲酰)肼基平和丙酰基平面构成。
2.如权利要求1所述二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的生长方法,其特征在于:所述方法如下:
在N-(2-噻吩甲酰)肼上引入丙酰基,然后将生成的N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶于仿醇混合溶剂中,且所述仿醇混合溶剂中氯仿∶甲醇=1∶1,并于室温下蒸发至饱和,取出饱和N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶液置于比色皿中,在比色皿外侧施加36V的直流电压,蒸发,生长出籽晶,然后将籽晶转移到培养槽,同样仿醇混合溶剂蒸发得到柱状晶体N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼。
3.如权利要求2所述二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的生长方法,其特征在于:所述N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体晶体属于三斜晶系,空间群为P-1,分子式C8H10N2O2S,Mr=1988.24,晶体学参数:α=70.00°,β=88.58°,γ=71.11°,Z=6,无二阶倍频效应。
4.如权利要求1所述二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体的用途,其特征在于:该晶体用于将波长为1064nm的激光转换至532nm。
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