[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其为将基板交替暴露于含硅气体和氧化气体中而在该基板上形成氧化硅膜的方法，其中，

该成膜方法包括：

将形成有凹部的基板载置在以能够旋转的方式设置在真空容器内的旋转台上的工序；

将上述旋转台加热到第2温度的工序，该第2温度高于作为能使上述含硅气体在气相中分解的温度的第1温度；

自非活性气体供给部经由狭小空间而至少向上述真空容器内的第1空间供给上述非活性气体，从而抑制上述第1空间的气相温度的上升，抑制上述含硅气体的在气相中分解的工序，上述非活性气体供给部配置于顶面形成部内，用于向第2顶面与上述旋转台之间的上述狭小空间供给非活性气体，该顶面形成部设于上述真空容器内的第1空间和沿上述旋转台的周向同该第1空间分开的第2空间之间，用于提供比上述第1空间的第1顶面以及上述第2空间的第1顶面低的上述第2顶面；

自设在上述第1空间的用于向上述旋转台供给上述含硅气体的第1气体供给部向载置在上述旋转台上的上述基板供给上述含硅气体的工序；

自设在上述第2空间的用于向上述旋转台供给用于氧化上述含硅气体的氧化气体的第2气体供给部向载置在上述旋转台的上述基板供给上述氧化气体的工序；

等离子体生成工序，利用设在上述第2气体供给部和位于上述旋转台的旋转方向下游侧的上述顶面形成部之间的等离子体产生部在该等离子体产生部与上述旋转台之间生成等离子体；

利用上述旋转台的旋转，将载置在该旋转台的上述基板暴露于上述含硅气体、上述氧化气体以及上述等离子体，而在上述基板上形成氧化硅膜的工序；以及，

加热工序，对成膜有上述氧化硅膜的上述基板进行加热。

2.根据权利要求1所记载的成膜方法，其中，

上述狭小空间的容积比上述第1空间的容积小。

3.根据权利要求1所记载的成膜方法，其中，

上述含硅气体是三(二甲氨基)硅烷。

4.根据权利要求3所记载的成膜方法，其中，

上述第2温度是在450℃～650℃的范围内。

5.根据权利要求1所记载的成膜方法，其中，

在加热工序中，以800℃～1200℃范围内的温度对上述氧化硅膜进行加热。

6.根据权利要求1所记载的成膜方法，其中，

在上述等离子体生成工序中，自含有非活性气体和氧气的气体生成上述等离子体。

7.根据权利要求1所记载的成膜方法，其中，

在上述等离子体生成工序中，用于生成上述等离子体的高频电力在1000W～10000W的范围内。