[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法。进一步详细而言，本发明涉及可以适用于其表面具有凹凸的半导体晶片的背面磨削(Back grinding)工序的半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法。

背景技术

在半导体晶片的制造工序中，对于形成图案后的半导体晶片来说，为了使其厚度变薄，通常对半导体晶片背面实施背面磨削、蚀刻等处理。此时，以保护半导体晶片表面的图案作为目的，将半导体晶片表面保护用胶带贴附在该图案面上。半导体晶片表面保护用胶带通常是在基材膜上层积粘合剂层而成的，并且是将粘合剂层贴附在半导体晶片的表面上来使用的。

近年来，伴随移动电话或便携式电脑等的小型化、高功能化，开发出了与线焊(Wire bonding)相比能够以较为节省空间的方式进行安装的倒装芯片(Flip chip)安装。倒装芯片安装中，在将芯片表面与基板进行电连接时，通过在半导体晶片表面上所形成的球状或圆柱状的凸点(bump)来进行连接。在如此形成有凸点的半导体晶片的背面磨削工序中，因该半导体晶片的形状会导致切削水进入半导体晶片与胶带之间从而使产生渗漏(seepage)的风险升高，该渗漏会导致半导体晶片受到污染，因此要求半导体晶片与胶带之间更强的密合性，但若提高密合性，则胶带的剥离性变差。特别是，半导体晶片的厚度正在倾向于越来越薄，加工成100μm以下的厚度并不少见，因而剥离性的变差易导致半导体晶片破损。

为了解决上述问题，提出了如下方案：使用放射线固化型粘合剂，在将半导体晶片表面保护用胶带剥离时使粘合力下降(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-215769号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，对于以往的放射线固化型的胶带来说，若对其进行放射线固化，则有时粘合剂会侵入到凸点等半导体晶片表面的凹凸，固着效果(anchor effect)增强，变得难以剥离，这种情况下，会产生凸点部的破损、或剥离后粘合剂残留在半导体晶片的表面上这样的问题。随着以提高半导体的可靠性为目的的、凸点的高凸点化及凸点间距离的窄间距化，上述问题更加显著。

因此，本发明的课题在于提供一种半导体晶片表面保护用胶带以及使用了该胶带的半导体晶片的制造方法，所述半导体晶片表面保护用胶带在半导体晶片加工时可以牢固地密合在半导体晶片上，并且在剥离时可以在没有半导体晶片破碎或余胶的情况下进行剥离。

用于解决问题的手段

鉴于上述问题，本发明人进行深入了研究，结果发现放射线照射前后的粘合力和固化收缩值是很重要的，并且进一步反复进行了深入研究，从而完成了本发明。

即，上述课题可以通过以下手段来达成。

(1)一种半导体晶片表面保护用胶带，其是贴合在半导体晶片并在进行背面磨削时所使用的表面保护用胶带，

所述半导体晶片表面保护用胶带的特征在于，

所述半导体晶片表面保护用胶带在基材膜上至少具有1层放射线固化型粘合剂层，且下述固化收缩值S为0.3～1.8，放射线照射前的相对于不锈钢的研磨面的粘合力A为1.5N/25mm～20N/25mm、且放射线照射后的粘合力B为0.01N/25mm～1.5N/25mm，

在所述半导体晶片的半导体晶片表面保护用胶带的贴合面一侧的表面上存在的凹凸的顶部的高度与底部的高度的最大差为10μm～300μm，所述放射线固化型粘合剂层的厚度为1μm～30μm。

固化收缩值S={(B/A)/(D/C)}

(上述式中，A表示放射线照射前的相对于不锈钢的研磨面的粘合力，B表示放射线照射后的相对于不锈钢的研磨面的粘合力，C表示放射线照射前的胶带面上的胶粘力(峰值)，D表示放射线照射后的胶带面上的胶粘力(峰值))。

(2)如(1)所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，在所述基材膜与所述放射线固化型粘合剂层之间具有放射线非固化型粘合剂层或由树脂构成的中间层，所述放射线非固化型粘合剂层或由树脂构成的中间层在25℃或60℃的储能模量为1×10⁴Pa～1×10⁶Pa。

(3)如(1)或(2)所述的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，在具有所述放射线固化型粘合剂层一侧的基材膜上所存在的层的总厚度大于等于在所述半导体晶片面上存在的凹凸的顶部的高度与底部的高度的所述最大差。