[发明专利]一种宽带线性均衡电路

权利要求书

1.一种宽带线性均衡电路，包括一电容电阻负反馈均衡电路，其特征在于还包括一差分有源电感结构，所述差分有源电感结构的两输入端分别与所述电容电阻负反馈电路的两差分输出端连接；其中，所述差分有源电感结构提供一零点和一对可引入高频增益峰值的共轭复数极点，该零点可消除所述电容电阻负反馈电路的主极点。

2.如权利要求1所述的宽带线性均衡电路，其特征在于所述差分有源电感结构为一交叉耦合两层堆叠结构。

3.如权利要求2所述的宽带线性均衡电路，其特征在于所述差分有源电感结构包括4个NMOS：M3、M4、M5、M6，一个偏置尾电流源I_SS2；其中，M3的漏极与M4的栅极相连，M3的栅极与M4的漏极相连，M3的源极分别与M5的漏极和M6的栅极相连，M4的源极分别与M6的漏极和M5的栅极相连，M5和M6的源极共同连接到该偏置尾电流源I_SS2，M3、M4、M5、M6的衬底极都连接到地电极；M3的漏极作为所述差分有源电感结构的一输入端与所述电容电阻负反馈电路的一差分输出端连接，M4的漏极作为所述差分有源电感结构的另一输入端与所述电容电阻负反馈电路的另一差分输出端连接。

4.如权利要求3所述的宽带线性均衡电路，其特征在于M3与M4的大小相同；M5与M6的大小相同。

5.如权利要求4所述的宽带线性均衡电路，其特征在于M5的宽度为M3宽度的0.5～2倍。

6.如权利要求3～5任一所述的宽带线性均衡电路，其特征在于所述差分有源电感结构中的NMOS管大小约为所述电容电阻负反馈均衡电路中NMOS管的十分之一。

7.如权利要求3所述的宽带线性均衡电路，其特征在于所述共轭复数极点为欠阻尼的共轭复数极点。

8.如权利要求7所述的宽带线性均衡电路，其特征在于所述高频增益峰值的中心频率为其中，R=(g_m3-g_m5)/(g_m3g_m5)，L=(C_gs3+C_gs5)/(g_m3g_m5)，R_L为所述电容电阻负反馈电路的负载电阻，C_L为所述电容电阻负反馈电路的负载电容；g_m3为M3的跨导，g_m5为M5的跨导，C_gs3为M3的栅源电压，C_gs5为M5的栅源电压。