[发明专利]成膜装置和成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其在真空容器内利用旋转台使配置在该旋转台的一面侧的基板公转，多次重复依次供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，其特征在于，

该成膜装置包括：

第1处理气体供给部，其为了使含有硅的第1处理气体吸附于上述基板而对上述基板供给第1处理气体；

第2处理气体供给部，其在上述旋转台的旋转方向上与该第1处理气体供给部分开地设置，用于供给含有使氧活化而得到的活性种的第2处理气体，以便使吸附于基板的第1处理气体氧化而生成硅氧化物；

分离区域，其在上述旋转台的周向上设置在上述第1处理气体供给部与第2处理气体供给部之间，用于避免第1处理气体与第2处理气体混合；

主加热机构，其用于通过对上述旋转台进行加热而隔着该旋转台从下方侧对基板进行加热；以及

辅助加热机构，其以与上述旋转台上的基板的通过区域相对的方式设置在该旋转台的上方侧，该辅助加热机构由加热灯构成，用于向由上述主加热机构加热后的基板照射基板的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该基板直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度，

在装置的性能方面容许的旋转台的最高温度是比臭氧气体热分解的温度低的温度，

在上述处理温度下，上述第1处理气体吸附于基板，所吸附的第1处理气体被第2处理气体氧化。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述辅助加热机构是用于照射被旋转台吸收的程度比被基板的材质吸收的程度小的波长区域的光的构件。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述辅助加热机构是用于照射可将旋转台的材质透射的透射波长区域的光的构件。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述基板是硅晶圆，上述旋转台的材质是石英，

上述辅助加热机构是用于照射被硅吸收、且可将石英透射的波长区域的辐射光的构件。

5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，

从上述辅助加热机构照射的辐射光的波长为0.5μm～3μm。

6.一种成膜方法，多次重复依次向基板供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得氧化硅薄膜，其特征在于，

该成膜方法使用成膜装置，该成膜装置包括：旋转台，其配置在真空容器内；第1处理气体供给部，其为了使含有硅的第1处理气体吸附于配置在该旋转台的一面侧的基板而对上述基板供给第1处理气体；第2处理气体供给部，其在上述旋转台的旋转方向上与该第1处理气体供给部分开地设置，用于供给含有使氧活化而得到的活性种的第2处理气体，以便使吸附于基板的第1处理气体氧化而生成硅氧化物；以及分离区域，其在上述旋转台的周向上设置在上述第1处理气体供给部与第2处理气体供给部之间，用于避免第1处理气体与第2处理气体混合，该成膜装置在装置的性能方面容许的旋转台的最高温度是比臭氧气体热分解的温度低的温度，

该成膜方法包括以下工序：

通过使上述旋转台旋转而使基板公转；

通过利用主加热机构对上述旋转台进行加热而隔着该旋转台从下方侧对基板进行加热；

利用以与上述旋转台上的基板的通过区域相对的方式设置在该旋转台的上方侧的、由加热灯构成的辅助加热机构向由上述主加热机构加热的基板照射基板的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该基板直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度；

在上述处理温度下使上述第1处理气体吸附于基板；以及

利用第2处理气体使吸附于上述基板的第1处理气体氧化。

7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，

上述辅助加热机构是用于照射被旋转台的吸收的程度比被基板的材质吸收的程度小的波长区域的光的构件。