[发明专利]扫描电镜薄样品透射过滤-反射接收式衬度分离成像方法

权利要求书

1.扫描电镜薄样品透射过滤-反射接收式衬度分离成像方法，其特征在于，薄样品的薄区厚度大于50nm，小于1000nm，依次按以下步骤实现衬度分离的成像方法：

步骤（1），把减薄区作为入射电子扫描成像区；

步骤（2）把所述薄样品的一个边缘粘贴固定在扫描电镜SEM的样品托上端面的一侧，使薄样品水平悬空处于悬臂梁式单端支撑状态，所述薄样品表面与样品托表面平行；

步骤（3），把经过步骤（2）处理的样品托安装在所述扫描电镜SEM样品室内的样品台上，并使入射电子扫描成像区正对着垂直入射电子束的方向，在极靴下方、环绕垂直入射电子束安装一个环形的半导体背散射电子BSE探头，在所述半导体背散射电子BSE探头外下侧所述垂直入射电子束一侧安装一个二次电子SE探头；

步骤（4）对所述扫描电镜SEM的样品室抽真空，当达到设定的真空度时，给所述扫描电镜SEM的电子枪施加5kV～15kV的加速电压，10^-9A～10^-11A的入射电流，该入射电流经过电磁透镜聚束后，再由控制单元控制电子束在所述薄样品表面的入射电子成像扫描区逐点扫描，工作距离为5mm～15mm；

步骤（5）采用一个安装在样品室内的ETD-SE探测器通过所述SE探头探测并记录二次电子SE像，在所述ETD-SE探测器控制下在显示器中显示，放大倍率为×30～×100000，所述半导体背散射电子BSE探测器探测并记录背散射电子BSE像，在自身控制单元控制下在显示器中显示，放大倍率为×30～×100000。

2.根据权利要求1所述的扫描电镜薄膜透射过滤-反射接收式衬度分离成像方法，其特征在于，当扫描电镜SEM采用W-SEM时，步骤（4）中设定的真空度优于10^-3Pa。

3.根据权利要求1所述的扫描电镜薄膜透射过滤-反射接收式衬度分离成像方法，其特征在于，当扫描电镜SEM采用FE-SEM时，步骤（4）中设定的真空度优于10^-4Pa。

4.根据权利要求1所述的扫描电镜薄膜透射过滤-反射接收式衬度分离成像方法，其特征在于，薄样品包括金属及合金薄样品以及非晶体和晶体复合材料薄样品。