[发明专利]慢光萨格奈克非互易干涉型光纤磁场传感器无效
| 申请号： | 201310280515.7 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103344925A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 肖悦娱 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 慢光萨格奈克非互易 干涉 光纤 磁场 传感器 | ||
1. 一种慢光萨格奈克非互易干涉型光纤磁场传感器，包括：宽带光源（1）、光隔离器（2）、3dB单模光纤耦合器（3）、光纤起偏器（4）、非互易相位调制器（6）、保偏传输光缆（7）、磁光光子晶体磁场传感头（13）、光电探测器（11）和信号处理单元（12）；其特征在于所述宽带光源（1）通过光隔离器（2）后接入3dB单模光纤耦合器（3），3dB单模光纤耦合器（3）的一个输出端与光纤起偏器（4）一端相连，光纤起偏器（4）的另一端与非互易相位调制器（6）的输入保偏光纤成45°焊接（5），非互易相位调制器（6）的输出通过保偏传输光缆（7）接入磁光光子晶体磁场传感头（13）；所述磁光光子晶体磁场传感头（13）由一个四分之一波片（8）经一个磁光光子晶体（9）连接一个反射镜（10）构成；所述3dB单模光纤耦合器（3）的另一端口经过光电探测器（11）连接到信号处理单元（12）。
2. 根据权利要求1所述的慢光萨格奈克非互易干涉型光纤磁场传感器，其特征在于所述磁光光子晶体（9）是由磁光介质或磁光介质和非磁光介质间隔的周期性排列构成的。
3. 根据权利要求1所述的慢光萨格奈克非互易干涉型光纤磁场传感器，其特征在于所述非互易相位调制器（6）是由两个光纤四分之一波片（17、18）之间连接一个法拉第旋转器（19）构成。
4. 一种慢光萨格奈克非互易干涉型光纤磁场传感器，包括宽带光源（1）、光隔离器（2）、3dB单模光纤耦合器（3）、偏振分/合波器（14）、非互易相位调制器（6）、保偏传输光缆（7）、磁光光子晶体磁场传感头（13）、第一、第二两个光电探测器（15、16）和信号处理单元（12），其特征在于所述宽带光源（1）通过光隔离器（2）后与3dB单模光纤耦合器（3）相连，3dB单模光纤耦合器（3）的一个正向端口与所述偏振分/合/波器（14）相连后，偏振分/合/波器（14）的另一端与非互易相位调制器（6）的输入保偏光纤成45°焊接（5），非互易相位调制器（6）的输出通过保偏传输光缆（7）进入磁光光子晶体磁场传感头（13）；所述磁光光子晶体磁场传感头（13）由一个四分之一波片（8）经一个磁光光子晶体（9）连接一个反射镜（10）构成；所述3dB单模光纤耦合器（3）的另一端口连接到第一光电探测器（15），偏振分/合波器（10）的另一端口连接到第二光电探测器（16），第一、第二两个探测器（15、16）的信号同时送入信号处理单元（12）进行处理。
5. 根据权利要求4所述的慢光萨格奈克非互易干涉型光纤磁场传感器，其特征在于所述磁光光子晶体（9）是由磁光介质或磁光介质和非磁光介质间隔的周期性排列构成的。
6. 根据权利要求4所述的慢光萨格奈克非互易干涉型光纤磁场传感器，其特征在于所述非互易相位调制器（6）是由两个光纤四分之一波片（17、18）之间连接一个法拉第旋转器（19）构成。
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