[发明专利]介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置

权利要求书

1.一种介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，包括由绝缘材料制备的气体放电腔室、一对附着在气体放电腔室上下两侧壁上的介质阻挡放电平板电极和两个位于介质阻挡放电平板电极下游设置在气体放电腔室左右两端壁上的第一类辉光放电电极，所述气体放电腔室具有工作气体进口和等离子体出口，气体放电腔室内靠近等离子体出口的部分为窄缝结构，等离子体出口为窄缝口，其特征在于：在所述两个位于气体放电腔室左右两端壁上的第一类辉光放电电极之间窄缝结构的腔体处设有至少一个第二类辉光放电电极，每两个相邻的辉光放电电极之间构成辉光放电电极对，形成辉光放电电场。

2.根据权利要求1所述介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，其特征在于相邻两个辉光放电电极之间的距离以能保证辉光放电电极之间的工作气体被击穿形成辉光放电为限。

3.根据权利要求2所述介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，其特征在于所述辉光放电电极沿垂直于工作气体流动方向的方向均匀地分布在窄缝结构腔体处。

4.根据权利要求3所述介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，其特征在于所述辉光放电电极的放电端为平面或针状。

5.根据权利要求4所述介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，其特征在于所述第二类辉光放电电极是以平面为放电端的薄片辉光放电电极，其厚度在0.001~10mm之间。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，其特征在于辉光放电电极与电源形成的辉光放电回路上串联有限流电阻。

7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，其特征在于所述介质阻挡放电平板电极及辉光放电电极由铜、铁、铝、钨、铂或其合金制备而成；所述气体放电腔室由绝缘陶瓷、聚四氟乙烯制备而成，或者由绝缘陶瓷与聚四氟乙烯的混合物制备而成。

8.根据权利要求1至5中任一权利要求所述介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，其特征在于所述介质阻挡放电平板电极和辉光放电电极之间的距离在0.01mm~10cm之间。

9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，其特征在于所述气体放电腔室的形状自工作气体进口至等离子体出口方向逐渐趋于扁平，或者整个气体放电腔室为窄缝结构腔体，所述等离子体出口的宽度与高度之比为5~200:1。

10.根据权利要求9所述介质阻挡增强型多电极辉光放电低温等离子体刷阵列发生装置，其特征在于所述气体放电腔室整体为长方体形的窄缝结构腔体，介质阻挡放电平板电极紧贴窄缝结构腔体的上下两外侧壁，且与等离子体出口的宽边平行，窄缝结构腔体壁作为所述介质阻挡平板电极的放电端面的绝缘介质。