[发明专利]磁场传感器

权利要求书

1.磁场传感器(20)，包括：

具有磁场传感器元件的集成电路(26)；

磁导体(28)；

壳体(22)，所述集成电路(26)和所述磁导体(28)被容纳在所述壳体中；

其中所述磁导体(28)被实现用于，将磁场引导到所述集成电路(26)上；

其特征在于，所述磁导体(28)在聚合物材料(12)内具有软磁颗粒(16)，其中所述磁导体（28）至少部分地与所述集成电路（26）齐平地被使用，

其中所述磁场传感器包括两个具有磁场传感器元件的单独的集成电路(26,26')，其中对于每个集成电路(26,26')，所述磁导体(28)包括由以软磁颗粒填充的聚合物材料制成的、邻近相应集成电路的单独的导体元件(30)。

2.根据权利要求1所述的磁场传感器(20)，其中所述软磁颗粒(16)被注入、喷入或引入所述聚合物材料(12)中。

3.根据权利要求1或2所述的磁场传感器(20)，其中所述壳体(22)由与所述磁导体(28)相同的聚合物材料(12)制造。

4.根据权利要求1或2所述的磁场传感器(20)，其中所述磁导体(28)包括由以软磁颗粒填充的聚合物材料制成的导体元件(30,30',30,36)，所述导体元件邻近所述集成电路(26)的一侧。

5.根据权利要求1或2所述的磁场传感器(20)，其中所述磁导体(28)包括由以软磁颗粒填充的聚合物材料制成的、邻近所述集成电路(26)的相对置的侧的导体元件（30,36）。

6.根据权利要求4所述的磁场传感器(20)，其中至少一个导体元件(30')被实现为磁场透镜。

7.根据权利要求1或2所述的磁场传感器(20)，其中所述磁导体(28)包括由以软磁颗粒填充的聚合物材料制成的、邻近所述壳体(22)的外表面的导体元件(36,36')。

8.根据权利要求1或2所述的磁场传感器(20)，其中所述磁导体(28)包括由以软磁颗粒填充的聚合物材料制成的结构化的导体元件(36')，该结构化的导体元件邻近所述集成电路(26)的一侧并且被实现用于使磁场朝着该导体元件的方向偏转。

9.根据权利要求8所述的磁场传感器(20)，其中所述结构化的导体元件(36')包括弯折的伸长体。

10.根据权利要求1所述的磁场传感器(20)，其中所述磁导体(28)包括由以软磁颗粒填充的聚合物材料制成的、邻接两个集成电路的导体元件（30''）。

11.根据权利要求1所述的磁场传感器(20)，其中对于每个集成电路(26,26')，所述磁导体(28)包括两个由以软磁颗粒填充的聚合物材料制成的、分别邻近所属集成电路的相对置的侧的导体元件(30,36)。

12.根据权利要求1或2所述的磁场传感器(20)，其中所述磁导体(28)与所述集成电路(26,26')具有间距。