[发明专利]基于PZT压电梁阵列的MEMS振动能量收集器无效
| 申请号： | 201310281135.5 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103346252A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 温志渝;佘引;赵兴强;邓丽诚;罗国希;袁成伟;莫技科 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;B81B3/00 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 pzt 压电 阵列 mems 振动 能量 收集 | ||
【权利要求书】：
1.基于PZT压电梁阵列的MEMS振动能量收集器，包括由多个压电梁组成的阵列、一个质量块和外框；其特征在于，这些压电梁一端固定在外框上，并沿外框的宽度方向排成一列，构成阵列，每个压电梁之间有一定的间隙，压电梁另一端与同一个质量块连接并悬空，即共用一个质量块；PZT压电梁之间是串联连接，电流由两个焊点连接导线输出。
2.如权利要求1所述的基于PZT压电梁阵列的MEMS振动能量收集器，其特征在于，所述压电梁由下至上依次包括硅基底、下电极、PZT压电膜和上电极。
3.如权利要求1和2所述的基于PZT压电梁阵列的MEMS振动能量收集器，其特征在于所述的PZT压电膜材料是采用溶胶—凝胶、金属有机化合物化学气相沉积、磁控溅射等MEMS加工方法制备。
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